复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

利用单片机和CPLD实现直接数字频率合成(DDS)

与传统的频率合成方法相比，DDS合成信号具有频率切换时间短，频率分辨率高，相位变化连续等诸多优点，使用单片机灵活的控制能力以及良好的人机对话功能与CPLD器件的高性能，高集成度相结合，可以克服传统DDS设计中的很多不足，从而设计开发出性能优良的DDS系统。     

横向放大率法确定复合光学系统的基点

介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件（CCD）测量物经光学系统成像的横向放大率，提高了测量精度。     

交变光源型位敏器件应用技术

在利用直流光源型半导体位敏器件（ＰＳＤ）进行测量时，常因环境光强的改变而引起误差。本文介绍的交变调制光源及其相应的ＰＳＤ光电信号处理电路，可大大地降低和消除杂散光对测量的影响。     

整流罩加热对红外电荷耦合器件导弹导引头补偿和增益校正的影响

研究了整流罩加热对红外电荷耦合器件导弹导引头的影响;对两种材料,计算了其在发射后作为时间函数的背景辐射及器件存储阱产生的电荷,并且还讨论了为在飞行过程中保持导引头最佳灵敏度所需的信号处理问题。     

几种新型的光电器件

描述用ＳＯＩ技术制造的光耦合ＭＯＳ继电器和多量子阱长波和红外探测器，以及集成异质结晶体管和激光二管于一体的高增益，高灵敏的光电子开关器件，文中着重介绍这些器件的结构，制造工和器件特性，并对其进行了讨论。