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111.
片式阻容元件的现状和发展方向 总被引:1,自引:1,他引:0
在国外的片式元器件(SMD)中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,尺寸越来越小,性能越来越好,包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进展,指出了我国的差距,提出了我国如何发展的措施。 相似文献
112.
大面积激光自动涂敷系统及其工业应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文系国家“八.五”攻关课题。为解决冶金轧辊大面积激光涂敷的需要。我们研制了一套宽带激光自动涂敷系统,它由宽带扫描镜和自动喷粉机组成。适用激光功率1-10kW,它既右作于宽带涂敷,又可直接用于聚焦窄作敷。单道一次涂敷宽度10-35mm连续可调,单道一次涂敷厚度0.2-8mm可控。送粉量0.5克-200克/分连续精密地,送粉精度〈2%。 相似文献
113.
毫米波与红外相复合的遥、近感系统中,天线的复用是一个关键问题。本文提出用频率选择表面来设计复用融面,实现透过毫米波而反射红外的双工性能。理论分析和实验结果都证明了该方案的有效性,样品对毫米波的透过率和对红外的反射率均可大于90%。该复用面还具有适用于双色红外系统的优点,克服了光学结构仅可用于单色红外的不足。 相似文献
114.
115.
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4
关键词: 相似文献
116.
已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。 相似文献
117.
118.
目前,像影碟机、录像机、微型计算机、手持电话和程控交换机等电子整机产品电路板的装组工作都是在SMT生产线上完成的。就是在这工作有序整洁的环境中,隐藏着一种对这些电子整机产品有严重伤害的凶恶杀手——静电。 静电电荷的产生是不可避免的,像物体间的相互摩擦、运动,两种材料在分开时,或者液体和气体的流动 相似文献
119.