激光二极管泵浦微片Tm，Ho：YLF激光器的实验研究

本文对激光二极管泵浦(Tm，Ho)：YLF平-平腔微片激光器进行了实验研究．(Tm，Ho)：YLF晶体中Tm^3 为感光离子，Ho^3 为激活离子。Tm^3 在近红外区是很好的感光物质。与Tm相比，Ho激光器的激光上能级寿命与Tm相同，但是它有比Tm更大的受激发射截面。这是Ho比Tm更适合做激活离子的原因．     

斜蒸SiO2膜铁电液晶分子取向特性

1、引言铁电液晶具有高速响应和存储特性而应用于显示器件.和向列型液晶一样,无需采用TFT驱动方式,可考虑采用简单矩阵电极的静态驱动和多路驱动.此外其高速响应特性可满足电视显示需要,现正广泛进行研究开发.在应用铁电液晶作液晶显示材料时,必须开发室温下稳定的铁电液晶、稳定地制备薄型大面积液晶板以及解决其取向方法、驱动方式等.     

名词术语释义——“DNA框架”

“DNA框架”是由人工DNA分子片段组成的。它们自然交织成一张分子纤维网，犹如“灯芯绒”一般。这“灯芯绒”的条纹就是具有粘结性的DNA条。DNA分子具有碱基配对的特性，而用来处理或存储信息的微单元，就包裹在互相对应的DNA片段中。先用常规密度的DNA条组合成“框架”，然后在纤维上把纳米元件以常规密度预先“织”到DNA纤维“框架”中，     

Scaling Behaviour of Conserved Sites in Protein Families

Base on the database of families of structurally similar proteins, a statistical study is made on the scaling behaviour of occupying probabilities of conserved sites (Pc) in various protein families. A power-law decrease of Pc with the increasing protein-chain length Lf is found. This is related to the power-law scaling behaviour of the occurring probabilities of local contact interactions (Plocal) between residues. In addition, applying residue grouping, we find the same scaling behaviour when the number of residue types is more than 12, indicating that 12 residue types are enough to present the complexity of proteins.     

12Cs新能级的观测

通过¹¹²Sn(¹²C,p2n)反应产生了处于高激发能高角动量态的¹²¹Cs核.用在束γ技术对其退激γ进行了测量和研究.在πh11/2,ΔJ=2和πg9/2,ΔJ=1带上各观测到了两个新能级.     

Yb原子高激发态的斯塔克光谱

采用ππ偏振激光，通过两步激发和光电离方法，在０－１５４Ｖ／ｃｍ电场范围内，测定了Ｙｂ原子ｎ－１８附近ｍ＝０的斯塔克光谱，首次把包含斯塔克效应的能量矩阵对角化方法推广到Ｙｂ原子，所获得的理论斯塔克图与实验结果基本符合，观察到低场中斯塔克簇随电场增加呈现线性结构以及＾１Ｐ１态与斯塔克簇在抗交叉过程中振子强度发生转移的现象，讨论了结构与量子亏损的关系。     

CX_2(NO_2)_2(X=H,F,C1)分子旋转势和构型稳定性的ab initio研究

本文用ab initio计算方法,采用STO-3G基组,对二硝基卤代甲烷CH_2(NO_2)_3(1),CF_2(NO_2)_2(2);CCl_2(NO_2)_2(3)等分子作了单点计算,研究其旋转势能.全构型优化研究了五个具有对称性构型的结构和稳定性,并作了理论分析和探讨.     

90年代物理学：原子,分子和光学物理

一、原子、分子和光学物理的实质 原子、分子和光学物理(简称AMO物理学)旨在阐明物理学的基本规律,认识物质的结构及物质在原子和分子水平上的演变,认识光所有的表现形式以及发明新技术新设备等.AMO物理学向其邻近学科如化学、天体物理、凝聚态物理、等离子体物理、表面科学、生物学、医学等提供了理论、实验方法及基本数据.AMO物理学还促进了国家安全系统和核聚变、定向能源、材料研究等国家项目的发展.AMO物理学的发展使激光以及光加工和激光同位素分离等先进技术成为可能,并且由此出现了新型工业如光纤通信和利用激光进行加工.这些…     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。