日开发调光镜玻璃用镁镍系合金薄膜

日本产业综合技术研究所的一个环境应答功能薄膜研究组开发了一种具有卓越光学特性的调光镜薄膜材料。调光镜材料是一种能够把光学性质自由地控制成透明状态与镜状态及中间状态的新薄膜材料,这次开发的是可见光透过率50％以上的镁镍系合金薄膜材料。     

基于ρ域线性率失真模型的H.264帧级码率控制算法1

本文基于ρ域线性率失真模型提出一种适用于H.264的帧级码率控制算法.先验证线性率失真函数对H.264编码算法的适用性,再通过使用混合自适应估计方法精确地估计出该模型惟一的参数θ,实现线性率失真函数在H.264码率控制中的应用.仿真结果表明,与JVT-H017算法相比,新算法不仅获得更精确的码率控制,而且获得更平稳的输出码率和PSNR,同时实现简单,适用于实时视频通信.     

广义鞍点问题的改进的类SOR算法

针对广义鞍点问题,本文提出了一个改进的类逐次超松弛迭代算法,在较弱的条件下,分析了算法的收敛性及线性收敛率.新算法的每步计算量与已有的算法类似,都是需要（近似）求解线性方程组,但新算法有更好的灵活度通过合适地选取参数矩阵,每一步子问题可以容易地求解,甚至可以有闭式解（closed-form solution）.数值实验结果显示了新算法的有效性.     

凸约束非光滑方程组一个新的谱梯度投影算法

基于寻找分离超平面的三种经典线搜索技术,本文提出了一种自适应线搜索技术.结合谱梯度投影法,提出了凸约束非光滑单调方程组的一个谱梯度投影算法.该算法不需要计算和存储任何矩阵,因而适合求解大规模非光滑的非线性单调方程组.在较弱的条件下,证明了方法的全局收敛性,并分析了算法的收敛率.数值试验结果表明算法是有效的和鲁棒的.     

溶剂对助焊剂性能的影响

选用四种不同的醚与单一醇复配作为溶剂配制出四种助焊剂。通过扩展试验、润湿力试验和表面绝缘电阻测试,评价各种助焊剂的性能。结果表明,溶剂种类对焊料的平均扩展率、润湿性能和表面绝缘电阻均有影响;沸点与焊料熔点相近的溶剂所配助焊剂使焊料具有75.4%的平均扩展率;对活化剂有最好溶解能力的溶剂可提高润湿速率约12.5%。     

320 × 256 InGaAs短波红外焦平面阵列探测器

研制了320×256 InGaAs焦平面阵列(FPA)探测器,它由InGaAs光电二极管阵列(PDA)与Si CMOS集成读出电路(ROIC)通过In凸点倒焊技术混合集成。背照射工作方式下其响应光谱范围为0.9~1.7μm。为实现InGaAs PDA与所设计的可调积分电容跨阻抗反馈放大器接口电路良好匹配,分析讨论了InGaAs光电二极管响应度、暗电流、结电容等光电特性对表征InGaAs FPA的主要性能指标的影响,优化了InGaAs光电二极管单元结构设计。采用优化结果研制的320×256 InGaAs FPA,在室温下的峰值探测率达到6×1012cm.Hz1/2.W-1,动态范围达到68 dB。     

基于队列长度和时延约束的异步OPS权重调度

分组调度在异步光分组交换(OPS)节点中起着重要作用,一种智能的调度算法能减小分组的丢失率,增加节点的吞吐量,从而提高服务质量.文章提出了一种基于队列长度和时延约束的解决队列中分组"饿死"和时延问题的权重调度算法.算法通过计算队列长度和分组在队列中等待时间确定调度的权重值,以减小分组在核心节点处的资源竞争和等待时延,调度器计算每个输入端口的N×K个虚拟输出队列的权重值并调度最大权重值队列到可用的输出信道上.分析和仿真结果表明所提的权重调度算法具有高吞吐量和低分组丢失率特点.     

无线传感器网络中结合丢包率和RSSI的自适应区域定位算法

首先分析无线传感器网络(WSN)中基于RSSI(接收信号强度指示)的现有定位算法存在的不足,然后在不同时间和空间的大量实验数据基础上,结合丢包率和RSSI提出了针对实际环境的距离评估模型和建立在此模型基础上的无线传感器网络定位算法,以此作为对无线定位研究的一种新的探索.通过实验对算法性能进行评估,证明使用该算法的WSN能够正常定位并具有较高的定位精度和稳定性.     

微量RE和Al对Sn-9Zn焊料组织与性能的影响

采用正交试验研究了微量RE和Al对Sn-9Zn无铅焊料电导率、硬度、润湿性及微观组织的影响,并与传统锡铅焊料进行了对比。Sn-9Zn焊料的电性能及力学性能优于传统锡铅焊料,但润湿性较差。添加微量RE和Al可以显著提高Sn-9Zn合金铺展率、细化组织,且不降低焊料电导率和力学性能,最佳w(RE)和w(Al)分别为0.05%和0.10%,铺展率达到61.98%,与Sn-9Zn相比提高了13.40%,硬度为20.90HB,电导率为8.15×106S/m。     

用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻

提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触.通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布.计算发现InGaN/AlGaN超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用.最后,利用p-InGaN/AlGaN超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27×10-5Ω·cm2的良好欧姆接触.