垂直记录技术将硬盘容量提高到新水平

随着企业和个人数据持续快速地增长，技术专家们正致力于通过提高面密度（即在硬盘单位面积上存放的住处量）来增加计算机硬盘所存储的信息量。自1957年硬盘问世以来，硬盘的面度已提高了5000万倍以上。随着面密度的增加，硬盘的成本得以降低，因为需要的盘片、磁头及机械部件都减少了。     

第二代小型WLAN模块面积低于100mm2

微软公司于2006年11月在美国上市了首款MP3-Zune,这一款战略性产品的目标是打破苹果计算机公司在MP3市场上的垄断地位,Zune可以与其他使用WLAN的用户共享乐曲、播放列     

用测量法求平面封闭区域之面积及空间封闭区域之体积

怎样用测量的方法来分别求由无解析表达式或由积分法很难求面积或体积的已知表达式的平面封闭曲线或空间封闭曲面所围的面积或体积?本文分别给出了简单易行的求面积的“改进了的方格法”及求体积的“立方体分割法”,并且证明了对于满足一定条件的平面封闭曲线或空间封闭曲面,当测量所用单位(平面小正方形的边长或空间小立方体的边长)充分小时,所测得的面积或体积与实际的面积或体积之差的绝对值是所用单位的二阶无穷小.并且,当曲线或曲面的某些性质已知或至少可以估计出其范围的情况下,本文给出了为使测量结果达到任意精度,应当使用多大的测量单位.     

芯片间数据传输速率可达1Tb/s的无线通信技术

以1Tb／s的数据传输速率实现芯片间的通信技术已经问世（见图1）。1Tb／s的传输速率是在以往ISSCC上所发布的芯片间通信技术中最快的传输速率，其平均传输速率的功耗和电路面积也是最小的。平均1Tb／s的功耗为3W，芯片面积仅有1mm^2（见表1）。     

数学学科德育视角下“圆的面积”的教学

尽管圆的面积公式学生小学就学过,但其推导让很多学生存在疑惑,学生甚至认为这是一个近似的面积计算公式.笔者尝试将数学文化引入课堂,从两种不同的角度推导圆面积公式,结合初中预备年级学生的认知特点,渗透“微分”思想,让学生更加深刻地理解圆的面积公式,彰显数学课堂的德育价值.     

贴片式功率器件的散热计算

自上世纪90年代开始,贴片式封装器件逐步替代了穿孔式封装器件。近年来,除少数大功率器件还采用穿孔式封装外,极大部分器件都采用贴片式（SMD）封装。由于贴片式功率器件封装尺寸小,不能采用加散热片的方法来散热,只能用印制板的敷铜层作为散热（一定的面积）。因此在贴片式功率器件的应用中需要在印制板（PCB）布局前,考虑所需的敷铜层散热面积。[第一段]     

基于线性规划的关键面积最小化方法

随着集成电路(IC)技术的不断发展,尤其在90nm和65 nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降.为了提升随机成品率,需要在布线或后布线阶段减小关键面积.文中提出一种基于线性规划降低关键面积的方法,使关键面积在一组条件约束下,通过版图中一些特征量的变化,建立起一个线性规划模型,然后求其最优解,进而得出关键面积的最小值.该方法的优点是把一个版图优化问题转化为数学问题,使问题更精确化,从而为成品率的优化提供了一条新途径.     

用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术

为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1％的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81％的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能.     

RCS测量雷达定标误差分析

RCS测量雷达在宽频带对目标进行RCS测量时,为了能得到准确目标的RCS值,必须对雷达系统进行标定。将气球悬挂标准金属球作为标准定标体,气球的RCS、定标球的加工误差对标定结果有较大影响。进行了误差分析,并提出改进措施,以提高RCS测量雷达系统的校准精度。