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系统芯片中低功耗测试的几种方法 总被引:3,自引:0,他引:3
在系统芯片可测试性设计中考虑功耗优化问题是当前国际上新出现的研究领域。在可测试性设计中考虑功耗的主要原因是数字电路在测试方式下的功耗比系统在正常工作方式下高很多。测试期间的功耗会引发系统成本上升,可靠性降低,成品率下降。本文介绍低功耗测试技术中的一些基本概念,对已有的几种主要的降低测试功耗方法进行分析,最后给出一种高性能微处理器的真速低功耗自测试方法。 相似文献
946.
在刚挠结合印制板中,层间不同粘接材料的热性能与镀层差异较大时,在热循环的条件下孔内镀层会发生疲劳断裂从而导致电性能缺陷。以两种典型的层间材料(不流动半固化片和纯胶片)为例,对影响PTH孔铜可靠性的材料特性因素方面进行探讨,首先采用一定的通孔应力应变模型理论分析通孔的应力分布,进而结合通孔的失效评估模型理论计算了不同材料下不同孔径的通孔的疲劳寿命,确定了不同介质材料下通孔的耐热循环性能;最后,通过冷热循环试验进行验证,对比出两种层间材料的差异,同时,通过对失效板件进行切片及SEM形貌分析,提出了PTH在热冲击下的失效原因和机理,获得了材料选择和性能对比的依据。 相似文献
947.
为了精确地设计激光雷达坐标测量系统仪器,在研究激光雷达坐标测量系统测量原理和结构的基础上,建立了引入两轴垂直度误差、反射镜倾斜误差和反射镜入射激光束倾斜误差这3项主要系统误差的测角误差模型。由理论分析可知,在距离10m处,这3项系统误差各自引入的单点坐标测量误差最大值分别为124.1m,447.9m和242.4m。结果表明,在激光雷达坐标测量系统设计中,为保证在大空间测量中仍有很高测量精度,必须严格控制两轴垂直度误差、反射镜倾斜误差和反射镜入射激光束倾斜误差,并根据建立的误差模型进行参量标定和误差补偿。 相似文献
948.
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制. 相似文献
949.
950.
本自动测试系统利用LabVIEW控制接口仪器,对PWM电路关键点波形进行自动测量并保存输出,从而判断电路组件是否达到预定功能.一方面代替了人工操作仪器,使之加智能化;另一方面还把仪器的测量结果返回到电脑上,对测量结果进行智能判断,对测量数据集中显示和判断,从而实现自动测试.本文对PWM电路组件功能测试系统的硬件等主要环节进行了详尽的叙述. 相似文献