首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   872篇
  免费   33篇
  国内免费   32篇
化学   5篇
晶体学   2篇
力学   3篇
数学   7篇
物理学   25篇
无线电   895篇
  2024年   3篇
  2023年   14篇
  2022年   16篇
  2021年   16篇
  2020年   3篇
  2019年   7篇
  2018年   5篇
  2017年   7篇
  2016年   11篇
  2015年   14篇
  2014年   32篇
  2013年   32篇
  2012年   51篇
  2011年   64篇
  2010年   67篇
  2009年   85篇
  2008年   82篇
  2007年   51篇
  2006年   62篇
  2005年   81篇
  2004年   57篇
  2003年   17篇
  2002年   8篇
  2001年   11篇
  2000年   15篇
  1999年   9篇
  1998年   9篇
  1997年   10篇
  1996年   14篇
  1995年   11篇
  1994年   11篇
  1993年   10篇
  1992年   13篇
  1991年   16篇
  1990年   13篇
  1989年   9篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有937条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
在参与了云南电视台的高清系统方案设计后,作者觉得在节目制作还要面对标清播出环境的今天,高/标清兼容是一个长期的过程,而兼容带来了许多我们值得关注的问题。文章就标清系统向高清系统过渡中的同步问题,延时问题和宽高比问题及应对策略进行了详细阐述。  相似文献   
122.
《数据通信》2005,(2):8-8
近日,美国网件公司(NETGEAR)发布了基于Airgo公司TrueMIMOTM技术的新款MIMOG无线产品:MIMOG无线路由器(WGM124)和网卡(WGM511)。NETGEAR MIM0G无线路由器提供高达108Mbps的速度,极大地改善802.11b和802、11g网络性能,与802.11b、802.11g无线网络完全兼容,适应流媒体等高级的网络应用,为用户提供高性能的无线网络技术,  相似文献   
123.
124.
125.
这个纷繁世界,因为有秀,选秀便而皇之;因为有选秀,秀便理所当然。二者的兼容度、依存度在当下这秀风劲刮的时代相当高。做得很厉害的秀几乎能够等价于高知名度和影响力。秀得彻底还可攻城略地,赢得更大的商业利益,招引更巨额的风险投资来。  相似文献   
126.
为适应信息化要求,从实际出发,针对军队通信供电系统存在的问题,探索军队通信供电系统发展之路。本文围绕军队信息化对通信供电系统要求,提出以顶层设计为龙头,通过标准化,综合整治,统一兼容平台以及建立专业维护体系等途径的解决方案。思考在信息化条件下通信供电系统的发展策略和通信供电系统本身信息化的发展,解决通信供电系统建设中的难题,为军队信息化开路。  相似文献   
127.
PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作  相似文献   
128.
研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.  相似文献   
129.
根据北京-九龙(京九)铁路商丘-龙川段的电信传输网同步设备的招标采购工作,提出了铁路电信传输网同步传输系统设计过程中几个值得注意的问题─—通信制式的确定、工作波长的选用、系统保护方式、长途及区段系统的兼容、系统网管、系统的升级扩容。  相似文献   
130.
本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号