THE COMPLETE LANGLANDS PARAMETERS CORRESPONDING TO THE REPRESENTATIONS OF THE CLASSICAL GROUPS WITH INTEGRAL REGULAR INFINITESIMAL CHARACTERS

1.CompleteLanglandsParametersandL-PacketsInthissectionwereviewsomebasicfactsfrom[1].Wedenotethesetsofrealnumbers,complexnumbersandintegersbyR,CandZ,respectively.SupposethatGisaconnectedcomplexreductivealgebraicgroup.WehaveanextendedgrouPGrforG,andvGrisanE-groupforGr.WedenotethesetofLanglandsparametersandthesetofgeometricparametersforvGrbYp(vG')andX(VG'),respectively.ThereisanaturalmapfromP(VG')toX(vG').ItinducesabijectionfromequivalenceclassesofLanglandsparameterstogeometricparamet…     

CdZnTe衬底表面结构分析

报道用ＸＰＳ研究Ｃｄ１－ｙＺｎｙＴｅ衬底经机械抛光后和化学抛光后的表面化学配比和表面结构。ＭｇＯ粉机械抛光后，表面为富Ｃｄ层，溴乙醇溶液化学抛光后，表面为贫Ｃｄ层；２－４．５ｋｖＡｒ＾＋溅射表面不导致元素的择优溅射，表面化学配比接近用电镜测量所得的体内组份值。     

钛宝石激光器的性能同元件参数的关系

根据纵向泵浦激光器优化理论，计算不同FOM值钛宝石的最佳斜率效率，不同Q值钛宝石在不同泵浦功率条件下应取的合适长度和输出镜参数，由它可能产生的最大输出功率及所需阈值。讨论了性能提高的可能性。     

薄衬底共面波导的特性分析

本文推导出了薄衬底共面波导特性参数计算的近似解析表达式,避免了薄衬底保角变换中的"拥挤现象".利用该表达式并结合部分电容法可以计算在导体与衬底之间加薄绝缘层的共面波导的特性参数,分析结果与实验数据相符合.最后还对有薄绝缘层的硅衬底共面波导的损耗因子进行了分析.     

INITIAL-BOUNDARY VALUE PROBLEM FOR THE UNSATURATED LANDAU-LIFSHITZ SYSTEM

51. IntroductionLet fi C Re (n = 1,2) be a bounded smooth domain. Consider the following nonhomogeneous initial-boundary value problem for the unsaturated Landau-Lifshitz systems offerromagnetic spin chain with Gilbert damping constant afl > 0,where adZ is the exchange constallt, u = (u', u', u'), "o(x) is smooth and satisfies the unsaturated condition, i.e., Ilo(~)I gi constant, and in IVuol' < co, "o(x)IOn = op(x). DenoteW(x) = luo(x)I. We assume 0 < m = mane < M ~ mpxW. Throughout t…     

Behaviour of Ti Based on Si （111） Substrate at High Temperature in Oxygen

The behavior of Ti based on Si（lll） in oxygen under high temperatures（700 ℃, 800 ℃ , 900 ℃ , I 000 ℃ and 1 100℃） is reported. X-ray diffraction（XRD） and Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR） are used to analyze the structure and composition of the samples annealing at different temperatures in oxygen ambience. It is found that raising temperature is helpful to the formation of both TiSi2 and TiO2 and helpful to the diffusion of Ti to Si substrate.     

具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.     

射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。     

用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.