一般阵列误差情况下信号二维方向角估计

针对均匀圆阵存在一般阵列误差的情况,提出一种信号二维方向角估计方法.基于均匀圆阵的阵列流形和阵列输出的协方差矩阵,采用加权总体最小二乘法估计信号二维方向角.并给出了解整周期性模糊的方法.计算机仿真表明了此方法估计精度高,对阵列误差鲁棒性强,并且各项性能都接近于CRB.     

二区日本版《撕裂的末日》

电影简评 《撕裂的末日》的故事讲述的是未来人类社会在经历了一场世界核战之后，执政当局为了控制人民，防范叛乱和战争的危机，研制了一种名为“普世宁”的精神药物，并强制每个国民每天定时进行注射，如若违抗便会被执行极刑，同时政府还将影响国民情绪、意欲、行为的一切相关的艺术     

径向基函数神经网络的再学习算法及其应用

为了应用径向基函数神经网络逐步地识别待研究系统,文章针对径向基函数神经网络的再学习算法开展了深入的研究.应用严格的数学推理方法,将径向基函数神经网络的再学习问题转化为矩阵求逆的附加运算.详细给出了径向基函数神经网络再学习算法中增加新训练样本和增加新基函数的数学公式,同时对如何获取新的训练样本进行了研究.     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

基于均匀圆阵的信号二维方向角互相关估计

针对复值乘性和加性噪声同时存在的情况,提出一种基于均匀圆阵的信号二维方向角互相关估计方法.本文推导出互相关估计公式,分析了估计的统计性能,给出了最优参数选择原则.在不改变均匀圆阵阵列流形的情况下,此方法抑制了信号中的乘性和加性噪声,且计算量小.计算机仿真证明了此方法的有效性.     

对多径效应引起测向误差的分析

介绍无线电通信测向的基础原理，从理论上分析多径效应对无线电通信测向的影响，通过计算机仿真得出多径效应对测向误差影响的具体情况，为以后的无线电测向提供理论根据。     

汤姆逊IPTV解决方案助力运营商开展三网融合服务

2006年11月13日，北京——业界领先的美国电信系统集成商Falcon Communications正式推出一种综合性的IPTV平台，该平台基于汤姆逊公司端到端的解决方案，包括汤姆逊的编码、内容传送、服务管理以及接入等产品。     

一种改进型基-8 FFT算法及其ASIC实现

本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上，根据具体应用要求，结合基-4算法的长处，对传统基-8FFT的结构做了改进，并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确，而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。