Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…     

基于单元规则度信息的提取和实现的Data-Path布局算法

提出了一种有效的Data-Path布局算法DPP,该算法基于一个新的"不规则度"概念来评价电路单元之间连接关系的规则性信息,并根据这些规则性信息提取规则化的单元形成规则矩阵;然后算法把规则矩阵转化为二次布局的约束条件进行最终的布局.与Cadence公司布图工具SE的对比实验表明,DPP是一种有效地针对Data-Path子电路的布局算法,它在时延平衡方面可以得到非常满意的结果.     

硅表面上的纳米量子点的自组织生长

纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

加热炉内板坯粘塑性下桡变形的研究

在加热妒内，由于高温及重力作用，板坯两端的悬臂将产生下桡变形。悬臂越长，下桡将越大，导致悬臂下桡部分与出口端墙相碰，影响出料而造成事故。本文对加热炉内板坯的下桡变形进行了分析计算。首先，建立了板坯的二维非稳态导热模型并用有限差分法计算了炉内板坯随时间的温度变化；然后建立了板坯悬臂粘塑性变形模型，用有限元法计算了高温条件下由重力引起的悬臂的下桡变形。由此理论模型计算出的板坯抽出温度与悬臂端下桡量与实测结果吻合良好，说明该理论模型及模型计算方法是正确的，可用于对装钢生产进行指导。     

通信设施支护稳定性的模糊数学评判法

采用Fuzzv数学方法，考虑通信设施边坡支护工程实际经验，建立了Fuzzy综合评判模型。根据不同的稳定状态，将通信设施支护边坡划分为五个等级；分析影响边坡稳定的各种作用因素，根据它们作用程度的不同，赋予不同的权值；采用二级综合评判，使评判结果更符合实际。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都