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本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施，特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ＵＬＳＩ加工对离子注入的要求。 相似文献
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理论和初步实验证明，利用电磁波相对于介质片的入射角度可以较好地抑制辐射干扰。对于平行极化波，当入射角θ＝ａｒｃ ｓｉｎ√ε２／（ε１＋ε）２时可以穿过介质片，而对于垂直极化波则只有极少部分能量穿过。 相似文献
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介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能，保证了可靠性。 相似文献
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叙述了真空蒸发金属膜的形成过程和膜层结构，运用金属原子迁移理论分析了挠性力平衡力速度传感器石英摆片导带“断裂”故障，提出了增强可靠性的技术途径。 相似文献
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