多粒度全光网中的多层联合路由

多粒度交换技术利用波带级路由以及光纤级路由,可有效降低光交叉连接器的复杂度.但多粒度交换增加了光网络的逻辑层次结构,使得网络中的路由与资源分配问题更为复杂,因此,在多粒度全光网中实现多层联合路由是提高网络性能的关键.本文对多粒度交叉连接结构进行了分析,并对多粒度全光网中的多层联合路由问题进行了研究.     

HUBER＋SUHNER推出QN和QMA系列快锁连接器

全球著名的通讯传送产品制造商HUBER＋SUHNER推出了可应用于3G的新型快锁连接器QN和QMA系列，该系列连接器符合新的QLF标准，便于快速、灵活地安装，其广泛应用于射频，微波和数据通信领域，在为客户控制总成本上有着独到的优势。     

第八届全国激光科学技术青年学术交流会在福州召开

第八届全国激光科学技术青年学术交流会于11月14日至17日在福州举行。来自全国从事强激光、惯性约束聚变（ICF）和高功率微波的科技工作者会聚一堂，交流在近两年来科技攻关中辛勤研究刻苦努力取得的科研成果、学术心得和经验体会，切磋技术问题，引发思想碰撞，启发创新思想，参会人员共计181人，是历届参加人数最多的一次，其中青年代表118人，     

48端口以太网交换芯片降低SMB网络总体成本

Broadcom(博通)公司的ROBOSwitch交换芯片系列最近又增加了一个新成员——全集成48端口快速以太网交换芯片,具有企业级功能,可利用WebSuperSmart网络管理软件对管理型和轻度管理型中小企业     

微波电路互联与制造技术

介绍微波电路CAD与优化、微波集成电路及其制造、微波互联材料与工艺、微波MEMS等微波电路互联与制造新工艺、新技术的国内外研究和发展动态。     

OTN与超长距离传输

全光通信是光纤通信技术发展的方向，随着光纤通信的发展和应用，人们发现全光通信的梦想通过努力是可以实现的。本文从全光网的概念和OTN的概念出发，介绍超长距离传输技术的最新进展。探讨超长距离传输与OTN和全光网的关系。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

回顾我区模拟微波网络技术的发展历程展望未来的微波数字化技术

微波通信资源具有无限的前景，本文通过最新数字微波传输技术的发展动向，对我区网络建设以及模拟微波的升级改造作了深入思考。同时根据社会发展的需求，阐述了未来网络的安全策略以及网络速率的划分方法。