汽车自动变速器示教板的设计

利用单片机控制发光二极管和光纤来模拟汽车自动变速器的油路、阀体及其故障现象，采用键盘和LED显示器进行人机交互，操作方便简单，软件成功地模拟自动变速器的核心技未——自动换档功能，使学生能够清晰地领会自动变速器的工作原理。     

一种UHF频段无线数据传输系统接入点的射频前端

介绍了UHF(特高频)频段无线数据传输系统中接入点的一种射频前端。该前端包括调制器、上变频器、功率放大器、低噪声放大器、下变频器、解调器、频率合成器、增益控制和收发切换开关等电路。介绍了射频前端的实现方案以及关键部件的设计与测试。制作完成的射频前端集成在一块1 5 0mm×1 0 0mm的4层印制电路版上。该前端最大输出功率可达2W,接收灵敏度优于-100 dBm,收发切换时延小于1.5μs,满足系统指标要求。     

数字时代新兵种安桥(Onkyo)A-9755数字合并式放大器

纯数字化的梦想 数字时代的数字化潮流不可阻挡，特别是在电脑、电子领域更是如此，如果某样产品还没有和数字沾上边，多半会让人觉得不够时尚而缺乏吸引力。     

型号25年不变的前级Octave HP 500SE电子管前级放大器

Octave是一个德国的Hi—End音响厂家，产品以电子管放大器为主，包括前级、后级及合并式功放等等。Andreas Hofmann是Octave的老板兼设计师，掌握着不凡的电子管放大线路设计功力。1978年推出的Octave创业作就是型号为HP500的前级，多年来一直是Octave的镇山之宝，而且还不断地持续改良。一台前级的型号可以25年不变，这种事大概只有德国人才会做得出来。     

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

外腔长度对FBG-ECL输出特性的影响

根据光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-ECL)的等效腔模型,讨论了外腔长度对FBG-ECL的调制特性、线宽以及强度噪声的影响.指出增大外腔长度可以使FBG-ECL具有很窄的线宽,非常适合应用在相干光通信系统中.同时发现,外腔长度的增大也将导致强度噪声、调制特性的恶化,外腔的选择对FBG-ECL应用在不同光通信系统中十分重要.     

多级染料激光放大器中激光增益与放大自发辐射强度的理论研究

利用激光增益和放大自发辐射 (ASE)理论 ,对不同条件下的染料激光放大器的激光增益和ASE强度进行了数值计算。分析了当入射光强远小于和大于有效饱和光强时 ,激光增益和ASE强度与入射光相对强度的关系 ,讨论了在两种条件下ASE系数以及染料池端面反射系数对激光增益和ASE成分的影响。最后利用这些结果 ,对连续激光的多级染料放大系统的优化设计进行了讨论。     

双光栅外腔可调谐掺Yb3+双包层光纤激光器

采用一种新颖的双光栅装置作为外腔调谐结构 ,实现了掺Yb3+ 双包层光纤激光器的调谐输出 ,调谐范围10 37～ 110 6nm。双光栅结构的应用 ,使调谐输出的激光光谱的线宽大大变窄 ,小于 0 1nm。检偏器测量结果表明 ,整个调谐范围内的激光输出均为线偏振光。     

LD抽运高重复频率四通放大MOPA系统中的光纤相位共轭研究

报道了利用多模光纤作为相位共轭镜应用于重复频率100Hz。脉宽20ns的电光调Q四通放大LD抽运激光器的实验研究。由于光纤受激布里渊散射(SBS)存在的阈值效应，可以抑止使用平面全反镜的四通放大系统中难以克服的放大级自振荡(SO)和放大自发辐射(ASE)效应．以获得高能量高光束质量的激光输出。实验中在20ns．100Hz和注入光纤能量4．6mJ的情况下获得了4．1mJ的1064nm的基模激光输出。激光光束模式接近TEMoo模．且脉宽被压缩至4．7ns。在使用了光纤相位共轭镜的四通放大技术后，很好地补偿了由板条放大器热效应造成的光斑畸变。输出光斑很好地复原了振荡级输出光斑的光强空间分布。     

1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器

采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3 O5/Al2 O3 减反 (AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至 3× 10 -4以下 ;在 2 0 0mA驱动电流下 ,光放大器放大的自发辐射 (ASE)谱的 3dB带宽大于 5 0nm ,光谱波动小于 0 4dB ,半导体光放大器管芯的小信号增益近 30dB ,在 12 80～ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB ,饱和输出功率大于 10dBm ,噪声指数 (NF)为 7 5dB。