一种CMOS折叠结构ADC中的失调抵消技术

CMOS折叠预放电路的失调是限制CMOS折叠结构A/D转换器实现高分辨率应用的主要原因之一.文中提出差分对的动态匹配技术改善了折叠预放电路的失调,从而为研制CMOS工艺中的高分辨率折叠结构A/D转换器提供了一种可行方案,并给出了MATLAB和电路仿真的实验结果.     

2010年中国半导体规模将达121亿美元

据外电报道，尽管中国政府一直在扶植国内的集成电路设计和制造商，但对于中国每年400多亿美元的半导体需求市场，80％的需求还是由英特尔和AMD等国际厂商所提供。     

深亚微米标准单元库的设计与开发

随着深亚微米工艺技术的发展，0．18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善，我们首家针对中芯国际0．18μm工艺，成功设计开发了0．18μm标准单元库。本文简要介绍了0．18μm标准单元库的设计与开发。     

高速总线技术最大化自动化集成电路测试产能

半导体在汽车方面应用的迅速增长提高了对自动化器件测试能力先进性的要求。目前一辆汽车所使用的电子器件的价值约占其总价值的25％。据德国汽车工业协会预期，到2010年底这个数字将增加到40％。分析家预期，到那时一部全新轿车所使用的电子原件将占其总价的三分之一。汽车集成电路     

VLSI全定制版图分级LVS验证的研究

在VLSI芯片的全定制版图设计中，LVS验证日益复杂繁琐，本文系统介绍了用HERCULES实现LVS验证的原理、流程和配置文件，并讨论了如何用HERCULES高效率的实现分级LVS(Hierarchical LVS，简称HLVS)验证，这些技术和方法已经应用在成功流片的64位通用CPU全定制版图的设计中，提高了版图LVS验证的效率。     

光电设备电子机柜布线工艺研究

作为信号和电能载体的导线，同时也是噪声的载体和外来噪声侵入设备的媒体。描述了噪声通过导线侵入设备内部的方式，通过降低噪声的途径确定了机柜布线的原则，介绍了布线的要求和方法，最后提出了用布线槽布线的建议。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

762厂调频发射机逻控盒原理及故障二例

本文介绍了陕西762厂调频发射机逻控盒控制原理及故障排除。     

未来几年信息技术十大重点发展领域

1，集成电路技术 发展重点将集中在SIP（硅IP）重用技术，新一代高性能通用微处理器、SoC芯片系统技术、高密度IC封装技术以及22纳米～45纳米集成电路关键装备等领域。