QX—R系列抗断电语音录放电路（模块）

ＱＸ－Ｒ系列抗断电语音录放电路（模块）深圳求新微电子有限公司唐明道ＱＸ－Ｒ系列抗断电语音录放电路，是采用美国ｌＳＤ１４０．０系列单片语音录放集成电路芯片构成的。有两种结构型式：一是ＱＸ－Ｒ４２双列直插式ＸＯＢ（软包封），另一种是ＱＸ－Ｒ５１１、５１２...     

最新水冷式全固态数字调幅600kW中波发射机

数字调幅制式是当前国际上较先进的调制技术，ＤＸ系列全固态数字调幅中波发射机的电声指标和工业效率都是很先进的，过去的ＤＸ大功率机采用风冷方式，本文介绍了最新水冷ＤＸ－６００发射机的设备情况和技术特点。     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

高精度高稳定性耦合台

1 引言半导体光电器件的耦合质量对保证器件的参数性能,提高器件生产的成品率有十分重要的意义。为了提高器件在耦合中的成品率、解决耦合过程中移位问题,我们自制了一台精度高,稳定性好的耦合台。实验证明,用此耦合台耦合的器件几乎不产生移位,大大提高了器件的耦合成品率,为探测器件的批量生产开辟了一个良好的前景。     

具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算

将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。     

稳态锁模产生4ps激光脉冲

首次利用ＧａＡｓ光电导开关，控制Ｎｄ：ＹＬＦ激光器腔内Ｑ值，实现稳态锁模，获得脉宽和能量稳定性极高的４ｐｓ激光脉冲。     

宽带交换机概述

就上海贝尔公司生产的宽带交换机来阐述下一代交换机是如何实现宽带接入的。     

Preparation and Optical Properties of SnO2／SiO2 Nanocomposite

SnO2/SiO2 nanocomposites have been prepared by the soaking-thermal-decomposing method, tin oxide nanoparticles are uniformly dispersed in the mesopores of silica. The optical absorption edge of the obtained nanocomposite presents a redshift compared with bulk tin oxide, With the increasing annealing temperature during the procedure of the sample preparation, the optical absorption edge of the sample moves to shorter wavelength (blueshift). These optical properties can be ascribed to the amorphous structure and band defects of surface layers of the tin oxide nanoparticles.     

晶能光电走出LED发展特色路

“拥有完整的自主知识产权，打破了日美等发达国家对半导体照明技术的垄断，其产业前景和战略意义不可限量。”这是国内外专家对晶能光电“硅衬底发光二极管”项目的高度评价。2007年2月1日．该项目在南昌高新区开工，走上了产业化发展之路。