台湾光电产业发展迅猛

从80年代开始,我国台湾地区便开始积极推动光电子科技产业的发展,近十多年以来,在光电元件、显示器、光通信、光存储、光输出输入、激光器及其应用产品方面都有了迅速的发展。 2000年台湾的光电产值达到了3,426亿台币(约98亿美元),较1999     

300脚MSA 10 Gbit/s Transponder模块

分析了开发10Gbit/sTransponder模块的必然性，介绍了10Gbit/sTransponder模块的原理、特点和参数指标。并且用开发出的两只40km300脚10Gbit/sTransponder模块成功地进行了43km的无误码传输试验和测试。     

ML4664的原理与应用

文章介绍了光电转换芯片ML4 6 6 4的原理与使用 ,详细说明了由ML4 6 6 4为主要芯片构成 10MHz光纤收发器的设计方法 ,并给出了设计的具体原理图。     

GaAs半导体中三光子吸收的非线性光电导测量

采用非线性光电导技术测量2.06μm激光激发的GaAs本征半导体三光子吸收,观察到三光子和单光子吸收的混合光电导,测得了三光子吸收系数.测量结果与理论计算符合较好.     

WTD40Gb／s光收发模块获得国家专利技术

40Gb／s光收发模块是光通信领域内的高端光电子关键器件，是我国“十五”发展规划的重要课题，是光模块产品的制高点。武汉邮电科学研究院所属的武汉电信器件有限公司（WTD）是国内最早从事半导体有源光电器件和光电模块研发的单位之一。     

同轴型光电器件的研究开发

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。     

对微弱激光辐射的探测

由于面临越来越严重的激光制导武器的威胁 ,对来袭威胁进行早期预警日趋重要。概要介绍了微弱激光辐射探测技术国外研究现状及发展趋势。对微弱激光辐射探测关键技术进行了研究探讨。     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.