架势（CLASSE）SSP-300及SSP-600前级放大器

钟神广发一号Hi-Fi音乐播放系统由方舟一号CD机,JA-88D超值版大器及广发一号落地扬声器组成,其中,方舟一号CD机采用了PHILIPS经典的VAM1201＋CD-711转盘系统,解码器采用WOLFSON公司的24bit/192kHz立体声数字至模拟转换系统-WM7826解码芯片,     

第二讲 高温超导约瑟夫森结技术及其应用

高温超导约瑟夫森结技术近年来发展很快，特别是台阶结、双晶结、双外延结、边缘结和邻近效应结等性能已达到实用水平，并应用于超导量子干涉器件、数字信号处理和高频有源器件中。文章介绍了这些结的技术和有关的应用。     

薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器

从分析有源矩阵液晶显示器的发展形势出发，着重介绍了薄膜单晶硅有源矩阵液晶显示器的优势和和制作过程，指出这种显示器目前有投影显示和小尺寸显示方面有较好的市场前景。     

排列组合解题二三法

排列组合解题二三法陈宗洵（福建师范大学数学系３５０００７）排列组合的题目疑多乖戾，似无常法，暑假“陪读”偶有所得，整理成文敬飨读者，谨供参考．ＩＮ度法排列组合问题可视为按某种规则抽取元素的试验，确定试验所有不同结果的数目，我们可以把这种试验的若干结果...     

利用氟化气体和氧气的混和物进行SiC薄膜的反应离子刻蚀

本文研究了在ＳＦ６，ＣＢｒＦ３和ＣＨＦ３与氧相混合的几种氟化气体等离子体中，ＳｉＣ薄膜反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的直流偏压来研究刻蚀机理，为了更精确地定量分析刻蚀工艺，使用氩光能测定技术使等离子发射强度转换为相应的等离子物质浓度。为获得选择性的ＳｉＣ－Ｓｉ刻蚀及ＳｉＣ薄膜的各向异性图形，对等离子体条件，如气体混合物的构成，压力和功率进行了研究。首次采     

多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。     

基于离线卡尔曼的目标高度估计算法研究

基于雷达目标大地高度估算方法,针对等效地球半径近似法、地理坐标迭代法和地理坐标转换法进行了定性和定量分析。在综合考量惯性滤波、卡尔曼滤波和离线卡尔曼滤波等算法的实时性和平滑效果的基础上,设计并实现了一种基于离线卡尔曼滤波的地理坐标转换算法来估计雷达目标大地高度,并通过仿真试验验证了算法的有效性和实时性。     

Ag/Zn共掺杂TiO2薄膜的制备及其光学性能

采用溶胶-凝胶旋涂法制备本征TiO2、Ag单掺Ag-TiO2及Ag/Zn共掺Ag/Zn-TiO2的薄膜样品.测试结果表明:所有TiO2薄膜样品的主要晶面是(101)且没有其他杂质晶面.Ag的掺杂使得样品的晶粒尺寸减小,样品的吸收边出现红移,带隙能减小,最小值为3.476 eV.与本征TiO2和Ag-TiO2相比,随着Z...