薄膜微型电源

介绍了新型的薄膜微型电源的工作原理、结构及制造工艺。     

开关电源电压工作范围自动转换装置的研制

目前，彩色电视机的工作电网一般可分为两类，交流１１０Ｖ和２２０Ｖ电网，尽管开关电源的工作范围很宽，但它不可能同时适用两种电网电源，为此设计了一种１１０Ｖ／２２０Ｖ电网自动转换装置，以拓宽其工作范围，满足出口贸易的需要。     

点阵汉字库到PROTEL元件符号图形库的转换

本文介绍了ＰＲＯＴＥＬ元件符号图形库和点阵汉字库的结构，以及怎样将点阵汉字库转换到ＰＲＯＴＥＬ元件符号图形库的方法。从而提出一种在利用ＰＲＯＴＥＬ设计电路原理图时，加入汉字标注的途径。     

同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs（100）上淀积过程中的氧物种

用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关，较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体，因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层，氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。     

Pd／Ge薄膜体系中分形的形成

近年来,分形的研究已成为国内外的热门课题之一。利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动了材料科学研究的深化。本文报道了用透射电镜对Pd/Ge薄膜体系中分形形成的研究。为探讨薄膜制备方法、膜厚比以及退火温度对分形形成的影响,利用真空镀膜仪制备了Pd-Ge共蒸膜、Pd/a-Ge双层膜(先蒸Ge后蒸Pd)和a-Ge/Pd双层膜(先蒸Pd后蒸Ge),试样制备条件如表一所示。制备好的膜在真空炉中退火,退火温度分别为200℃、250℃、300℃、350℃和400℃,时间均为30秒。透射电镜观测在目立H-800上进行。     

等离子氨化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氨化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了能有效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺途径。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。     

网络分解法的误差分析

网络分解法是求解电大尺寸复杂结构电磁问题的重要方法之一,关于网络分解法误差分析的研究有着重要的理论意义和实用价值.本文给出了网络分解法的误差估计,并对于脉冲基函数转换成三角基函数的情况给出了三角基函数个数的最优公式,数值结果表明了分析的正确性.