长波长超辐射集成光源

为适应光谱分割技术的需求,我们采用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ单量子阱外延片,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成,制得了１．３μｍ长波长超辐射集成光源,取得了初步的实验结果,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与长波长超辐射发光管相比有很大提高。半导体光放大器的增益达到１９ｄＢ。     

楔形光纤与半导体多量子阱平面光波光路芯片的耦合分析

采用楔形光纤(WSF)实现了与半导体多量子阱(MQW)平面光波光路(PLC)芯片的高效耦合。在多量子阱-平面光波光路前置模斑转换器(SSC)和不加模斑转换器的情况下,用阶梯串联法(SCM)数值模拟并优化设计了楔形光纤-平面光波光路间最佳耦合参量:楔形光纤楔角45°、端面圆柱透镜曲率半径2.5μm、模斑转换器-多量子阱-平面光波光路出射椭圆光斑长半轴3.5μm、纵横比5、楔形光纤-平面光波光路间垂直方向和水平方向无偏移、纵向间距5.5μm。用反向推演法(IDM)实验分析了楔形光纤样品的出射光场,与阶梯串联法(SCM)计算结果相比长轴误差为3.125%,短轴误差为0.8%。建立楔形光纤-平面光波光路-单模光纤(SMF)的耦合实验系统,在1.55μm波长处以单模光纤作为出纤的相同条件下,发现楔形光纤激励入射平面光波光路比单模光纤和锥形透镜光纤(TLF)作为入纤的耦合效率分别提高了24.827 dB和16.22 dB,为多量子阱-平面光波光路芯片尾纤封装技术提供了实验原型。     

光波网络中的MEMS

1 前言MEMS技术正在对科学和技术的各个领域产生重大影响。它将使光波系统发生巨大变革。一些器件如光开关、可调衰减器、有源平衡器、分插复用器(ADMs)和光交叉连接器件(OXCs)、增益倾斜均衡器、数据传送器和许多其他微型器件会在先进的光波网络     

双光子共振激发钠原子六波混频过程

双光子激发钠原子所产生的级联受激辐射光子与入射激光双光子可产生光波混频。实验共观测到十一条六波混频与十条四波混频谱线。理论分析表明脉冲激光泵浦下的光波混频过程仍可用稳态近似计算混频光强。非线性极化系数X不仅与基态布居数也与激发态布居数有关。X的共振增强效应对获得强混频输出有重要作用。     

光波干扰测量结深

在半导体芯片制造过程中，结深是重要的工艺参数之一。本文介绍用光波干涉法测量结深，操作简便、精度高，特别对10μm以下的结深测量，有其独到的优越性。     

一维随机介质内光波模式的频率微分特性研究

本文用数值方法在有限尺寸的随机介质中求解麦克斯韦方程组,对一维随机激光器的频率微分特性进行了研究.结果表明每个随机散射颗粒都对介质内光波模式的频率形成有不同的贡献,散射颗粒尺寸和位置的微小变化会使介质内光波频率发生变化.处于局域化中心位置的介质膜,它们厚度的变化对输出频率的影响较大,局域化区域以外位置处的薄膜,它们的厚度的变化对频率的影响则非常微小.