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141.
国内资讯     
《通信世界》2002,(9):56-57
  相似文献   
142.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
143.
分布式光纤喇曼放大技术及其在WDM系统中的应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了分布式光纤喇曼放大技术的原理、特点和应用 ,并从受此影响的 WDM传输系统的信噪比、噪声指数和品质因数三个方面讨论了光纤喇曼放大技术在提升光纤通信系统性能方面的重要作用。  相似文献   
144.
光压效应及其应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
 一、光压效应光的本质是电磁波,电磁波不仅具有能量,而且具有动量。设光子速度为c,频率为v,波长为λ,则光子的能量和动量分别为:E=hv.  相似文献   
145.
幅相一致行波管高频电路CAD研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
 在行波管的设计和装配过程中,各部件的尺寸必须严格控制,高频电路参数的离散对行波管色散特性有极大的影响。使用螺旋导电面模型,模拟计算了高频结构各主要参数离散对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响。分析计算了夹持杆宽度、翼片高度、螺旋线平均半径、螺距、夹持杆介电常数等离散时对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响,为新型幅相一致行波管的设计和生产提供了很有价值的参考建议。  相似文献   
146.
孙宝申 《应用声学》1989,8(5):45-46
近年来,数字通信一直努力在给定的无线电频带内尽量提高传输信号的比特速率。多层调制的正交调幅(QAM)可以满足这一要求,具有很高的波谱效率,且调制电平层次越多,谱效率越高。但这种调制方式对系统中使用的几乎所有元器件都提出了高要求。特别是为了降低误比特率,对频谱形成滤波器的要求很  相似文献   
147.
 爱迪生于本世纪初发明的电灯,改变了日出而作、日落而息的传统生活方式。随着光源照明日趋多样化,人们对照明质感、强度、色温等提出了新的要求。进入80年代以来,低损耗玻璃光学纤维的发明使光纤开始用于照明系统,并且逐步进入实用阶段。目前光纤照明已用于众多领域,包括商品展示、广告标识、交通信号、娱乐场所、建筑装饰等。图1光纤结构示意图光纤是一种光传输装置,由许多极细的、易弯曲的、有一定柔韧性的、纯度较高的玻璃丝(或塑料丝)集束而成。单根光纤的中心是直径较小的纤芯,外面被直径较大、同样材质的包层覆盖,为防止磨损,包层外往往还有一层材料,叫做涂覆层(如图1)。  相似文献   
148.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式·研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关·使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较·在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关·按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1,2,3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886·当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816·  相似文献   
149.
O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用密度泛函理论,本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度,给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内,O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位,O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感,其值随着覆盖度的增加而减小;O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系,原因是Au表面电子向O偏移,形成表面偶极子;O—Au的相互作用形成成键态和反键态,且反键态都被占据,造成O—Au键很弱,O吸附能较小. 关键词: 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性  相似文献   
150.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
康小平  吕百达 《光子学报》2006,35(3):431-434
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816.  相似文献   
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