用于TDLAS二氧化碳检测系统的光电探测电路设计

通过精确检测CO2气体浓度控制CO2气体排放是治理大气温室效应过程中最重要的部分,采用TDLAS技术构建的CO2气体检测系统稳定度高、精密性好,是一种新型的检气方法.设计了一种应用于TDLAS型CO2检测系统的光电转换模块,用于接收转换气体选频吸收后的激光信号.激光经过CO2气体选频吸收后被光电二极管接收,由TLV35...     

裂变中子探测组件的结构与工艺研究

介绍了一种用于中子—伽玛混合场中探测裂变中子参数的新型光纤探测组件,该组件仅对从轴向入射的中子灵敏,而且时间响应快(ns级),配备不同的光电探测元件后辐射灵敏度和线性电流可调。重点介绍了裂变中子探测组件的探测原理、关键技术和解决途径,并给出产品达到的技术指标。     

光损伤肖特基钙钛矿探测器的光电特性分析

为了研究飞秒激光对光电探测器光学性能的影响,本文对飞秒脉冲激光辐照CsPbBr₃背靠背肖特基光电探测器的损伤特性,以及不同激光功率密度下的光电性能进行了研究。利用化学气相沉积法在ITO叉指电极上沉积CsPbBr₃微米晶薄膜,制备了背靠背肖特基型全无机钙钛矿光电探测器。利用脉冲宽度为35 fs的钛宝石飞秒激光器辐照CsPbBr₃光电探测器,通过显微镜观察不同激光功率密度下CsPbBr₃多晶薄膜的损伤形貌,并研究了不同功率密度损伤下肖特基结构的钙钛矿光电探测器的光电性能变化。结果表明：自制的全无机金属卤化物肖特基光电探测器具有较高的损伤阈值,达到了2.1 W/cm²,并且在样品轻度损伤的情况下,样品的光电特性出现了一定程度的提升,光谱响应度出现了50 nm的展宽,并且在部分薄膜受热脱落后,器件仍然保持一定的光电探测性能。     

太赫兹共振隧穿二极管探测器研究进展及应用

太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近年来获得越来越多的关注。基于RTD的太赫兹探测器具有可室温工作、体积小、易集成、灵敏度高等特点,使其在未来短距离、超高速的太赫兹无线通信及万物互联等场景具备优势。本文将重点介绍太赫兹RTD探测器的研究进展及其应用进展,并对后续技术发展进行展望。     

中科院上海技物所两台姿轨控单机成功应用于创新一号04星

正据www.sitp.ac.cn网站报道,9月4日8时15分,创新一号04星在酒泉发射升空并顺利进入预定轨道。上海技物所研制的静态红外地平仪和模拟太阳敏感器成功实现在轨工作,各项遥测数据正常,工作稳定。上海技物所研制的静态红外地平仪采用光、机、电一体化设计结构,通过4个光学成像镜头凝视观测地球红外地平圆的4个边界,并在线阵列探测器上对其进行成像;然后再通过信息获取和处理实现对卫星滚动和俯仰姿态的测量。静态红外地平仪没有扫描机构,具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长以及可靠性高等特点。该产品已连续在创新一号01     

TiO2/ZnO薄膜紫外探测器的光电特性

的光电流,且其光响应的上升弛豫时间约为22 S,下降响应时间约为80s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的.结果表明TiO2/ZnO可作为一种良好的紫外探测材料.     

生长MCT晶体的改进型Bridgman方法：ACRT—B

本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。     

基于MAX5026的单光子探测器直流偏压源设计

讨论了单光子探测器核心器件雪崩光电二极管(Avalanche Photodiodes,APD)的特殊工作原理,并在此基础上介绍了使用PWM升压变换器MAX5026设计出的一种APD直流偏压源方法。阐述了电路的主要设计要点,对电路性能进行了分析说明。实验结果表明:这种小功率直流偏压源电路工作性能良好,具有高稳定性和低纹波输出,能满足单光子探测时APD雪崩击穿对电源电压的要求,是一种理想APD直流偏压源。     

硅光电探测器阵列

以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟的仿真研究.流片测试结果表明,实验样品LPD型硅光电探测器阵列的单像素暗电流为2～7 pA,低于滨松S11212型商用光电探测器;结电容为45 ～ 46 pF,光响应值为0.37～0.39 A/W(仅比S11212型器件低约0.25％).LPD硅光电探测器阵列通过耦合碘化铯晶体并封装之后,放置在物品安检机上进行扫描成像,测试结果表明:LPD硅光电探测器阵列可以在X光机165 kV,0.8 mA时穿透40 mm厚的铅饼清晰成像.LPD硅光电探测器阵列的整体灵敏度和商用S11212型光电探测器性能相当,没有明显区别.     

MCT列阵光电性能参数自动测试系统

本文介绍了霍尼威尔公司电光分部研制的MCT光电导列阵自动测试系统和洛克希德公司Palo Alto研究实验室研制的焦平面列阵光电参数的自动测试站。检测的光电性能参数包括光电响应率,响应光谱,噪声,探测器的RA乘积,响应频谱,光学串音和电学串音,响应率的空间频谱,调制传递函数等。