抽运激光在光靶中的局域及其对X射线激光特性的影响

新型X射线靶设计为:由SiO2和TiO2组成具有12个周期的一维光子晶体,在它的中间嵌入光靶材料层作为缺陷层,SiO2,TiO2和光靶层的光学厚度分别为λ4、λ4和λ2,λ为抽运激光波长.与普通平板光靶相比,当抽运光垂直照射到这种光靶时,靶层内部的光强将提高2个数量级,所以抽运激光的阈值强度将降低2个数量级,这有利于X射线激光的小型化.在同样的抽运激光照射下,X射线激光的强度将提高4个数量级,转换效率也将提高约4个数量级.由于平均电离度随抽运激光强度的提高而提高,所以采用这种光靶有利于使X射线激光向短波长推进. 关键词： X射线激光 光子晶体 光波局域     

量子化电磁场中的非经典电子波包:电子与光子的纠缠

文中研究了量子化电磁场中非经典电子波包的运动。当初始光子态是Fock态时，随着电子和光子所组成系统的演化，初台可分离的电子态和光子态会互相纠缠，而且电子几率密度的时间演化呈非经典的分岔和汇合的现象。基到这些非经典特征，电子可以在光子场中被加速和减速，而系统保持能量守恒。     

含色散介质的一维光子晶体微腔的透射谱

研究了含色散介质的一维光子晶体微腔的透射谱,对色散介质采用Lorentz振子模型,腔模的频率设置在光子晶体带隙中心。发现当吸收可以忽略时,色散效应将导致在腔模附近有很高的态密度,与此相应地在透射谱中出现一个较宽的透射带。当吸收存在时透射带中心的透射峰消失,但带尾的透射峰依然存在。     

一种新型微带光子带隙结构的优化设计

本文对一种渐变尺寸的新型光子带隙结构进行了优化设计。根据优化后得出的最优结构参数 ,设计出PBG结构。实验结果证明 ,这种优化后的新型结构可以在保持阻带抑制幅度的同时减小通带内的波纹     

二维正方各向异性碲圆柱光子晶体完全禁带中缺陷模的FDTD计算分析和设计

用FDTD方法计算了二维正方晶胞各向异性碲圆柱光子晶体的点缺陷模.为了得到TE,TM模式在完全禁带中具有相同共振频率的缺陷模,对中心点缺陷半径Rd以及中心附近对称位置的点缺陷半径Rn做了一系列微调.计算表明,TM模对于Rn的变化不敏感,而TE模随着Rn的改变出现了明显的规则的移动趋势.通过计算分析,发现对应于f=0.4的背景(R=0.3568a),当Rd=0.55a,Rn=0.26a时在完全禁带中TE和TM的缺陷模具有相同的共振频率ω0=0.2466ωe(其中ωe=2πca,a为晶格常数) 关键词： 时域有限差分法 光子晶体 缺陷模 各向异性     

利用模式的对称性研究光子晶体光纤的色散

由光子晶体光纤的对称性可以得到模式分布的对称性，根据模式的对称性选择适当的展开函数，可以使计算量大大减少。计算了六角结构光子晶体光纤的色散特性，得到了波长在1．55pm处色散为零时，光子晶体光纤的结构参量所满足的方程。     

单光子探测器量子效率的绝对自身标定方法

提出一种单光子探测器量子效率的绝对自身标定方案，利用光参量下转换过程中产生的光子对在时间上的相关性，先将参量光束分为两路，然后引入相对延时，使同时产生的孪生光子先后进入单光子探测器，然后将探测器之后的电路分为三路，其中一路直接进入计数器得到探测器所探测到的光子的总计数率，另两路用电路方法引入和光路相当的相对延时，经符合电路后进入计数器，得到前后到达探测器的光子对之间的符合计数率.这样，从符合计数率与总光子计数率之比即可在不需要任何其他探测器或者参照标准的情况下获得探测器的量子效率.文中给出两种方案，分别适     

Single＆Two—photon Excited Fluorescence of Two New Compounds with 2—Benzothiazoly as Electron Acceptor

Two new D-x-A type compounds,where electron-donor D is tertiary amino group,electron-acceptor A is 2-benzothiazolyl and x is two conjugated styryl units,have been synthesized.They are named as trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diethylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole and trans,trans-2-{4-[4-(N,N-diphenylamino)styryl]styryl}-1,3-benzothiazole.Both compounds show strong two-photon excited fluorescence in yellow-orange region when excited by a femtosecond laser at 800nm.