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近边X光吸收谱(XANES)的发展 总被引:1,自引:0,他引:1
微观的局部有序指明了了解复杂体系性质的道路。蛋白质的生物功能、催化剂的活性、金属表面的吸附及超导体的电性能等,测定其局部结构是认识这些体系的第一步。科学的不断发展使局部结构测定的必要性日增,而发展的科学本身又从理论上和技术上孕育了新的实验探测方法。 相似文献
124.
总结、评述了高分子共轭聚会物的线性和非线性光学特性(包括光吸收和激光诱导光吸收特性及其微观机制),重点介绍了高聚物的非线性光学特性、应用前景和存在的问题。 相似文献
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利用实验光谱学的Beer Lambert定律和介质中的麦克斯韦方程组,建立了精确的光吸收(光电离)截面表达式,并通过一个随体系粒子数密度和宏观复介电常数而变化的变换函数,将严格截面公式与Fano和Cooper 1968年建立的理想气体的光电离截面公式直接联系起来.建议:1)当知道某密度下正确的体系宏观复介电常数β,γ时,可直接由严格表达式求得高密度下非理想状态的正确光电离截面;2)或当知道该体系的粒子微观极化率η,ζ和其理想气体的精确截面时,用上述变换公式间接求得其他密度时的光电离截面.对氩原子和氙原子的应用表明:当缺乏β,γ时,可由某一合理的宏观电极化率物理(例如克劳修斯-莫索缔)模型来计算β,γ,从而获得高密度体系的截面.这样获得的结果符合被散射物质的光电离(光吸收)截面随体系粒子数密度增大而增加的客观散射现象.而且,考虑了高密度真实体系中粒子间相互作用的宏观电极化率模型越正确,如此求得的散射截面的误差就越小.
关键词:
光电离截面
光吸收截面
介电常数
极化率 相似文献
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多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用辐射强度指数衰减率和多碱阴极光吸收系数公式,首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。研究结果表明:当Ia/I。大于0.4时,阴极厚度应在100nm以上,并且D随Ia/I。上升而增加,高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。并首次从理论上预测了对红外敏感的在可见光范围具有很高响应的三碱阴极的最佳厚度为120nm左右,这与实验结果非常一致。 相似文献
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We examine the microstructural and optical absorption spectra of 10-30vol% Cu-MgF2 nanoparticle cermet films prepared by co-evaporation in vacuum.The results show that the Cu-MgF2 cermet films are mainly composed of the amorphous MgF2 matrix with embedded fcc Cu nanoparticles of average size 12-24nm.The results also show that the optical absorption of the films decreases as the wavelength increases in the range of 200-800nm.The surface plasmon resonance absorption peaks of Cu nanoparticles in 10,20 and 30vol% Cu-MgF2 films appear at 578,588 and 606 nm,respectively.The interband transition absorption of Cu starts from 590nm downwards.Based on the Maxwell-Garnett theory,the experimental optical absorption properties of the films have been quantitatively evaluated. 相似文献
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