激光等离子体EUV光源令人期待

虽然近来放电等离子体（DPP）光源被认为是极紫外（EUV）光刻beta工具的最强有力的候选者，但是根据最近由Sematech在Baltimore，Md．主办的EUV光源研讨会（EUV Source Workshop）上的科学家们的观点，激光等离子体（LPP）光源似乎正在取得进展。     

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会圆满落幕

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会10月25日成功举行。应用材料，Entegris（英特格）、特许半导体、苏州华飞微电子材料公司，中芯国际，ASML等公司的演讲人从不同角度给与会者带来了光刻领域最新的发展趋势和实际生产运用过程中的解决方案。与以往两届不同的是，今年的光刻技术研讨会首次有国内的供应商代表在研讨会现场作演讲。     

国际新闻

硅晶圆出货量Q3放缓，同比增长5%；ASML：2012年光刻市场达到144亿美元；北美半导体设备市场9月订单出货比下降至0.81；TEL参与SEMATECH的3D互连项目；三洋电机称半导体事业将不出售或转让；     

片内相位测量工具模拟光刻机

采用特殊照明方式的高／超高数值孔径（NA）的193nm光刻机和相位移掩膜版（PSM），使得光刻分辨率的极限达到了32nm节点。不利的因素是掩膜的复杂度正在以指数级递增，而业界又迫切需要通过精确的相位控制以达到必需的高成品率。     

45nm工艺与关键技术

介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。     

SU-8胶深紫外光刻模拟

综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建立了SU-8化学放大胶的光刻模型.模拟结果显示,该模型比现有的模拟方法结果更精确,与实验结果符合较好,可以在实际应用中对SU-8光刻胶的二维模拟结果进行有效预测.     

气体靶激光等离子体软X-射线源实验研究

介绍了一种无碎屑、高亮度、高工作频率的气体靶激光等离子体软X 射线源。其喷气阀门由压电陶瓷驱动 ,工作频率可达到 40 0Hz。与金属靶激光等离子体软X 射线源相比 ,此光源无碎屑。与喷嘴由电磁阀控制的气体靶激光等离子体软X 射线源相比 ,它有较高的工作频率。一工作在模拟模式的通道电子倍增器被用于探测来自光源的软X 射线辐射 ,其输出信号经过一电荷灵敏前置放大器进一步放大变成电压脉冲信号 ,脉冲幅度与输入电荷灵敏前置放大器的电量成正比。实验测得CO2 ,Xe和Kr在 8～ 2 2nm软X 射线投影光刻常用波段的光谱辐射特性。CO2 光谱包括类锂和类铍离子跃迁形成的线谱 ,Xe光谱是多电荷氙离子 4d 5f,4d 4f,4d 6p和 4d 5p跃迁所形成的光谱。Kr气体靶光谱包括类铜离子、类镍离子、类钴离子和类铁离子跃迁形成的线谱和连续谱。     

用AZ4620制作微电镀模的工艺研究(英文)

介绍了利用AZ4620光刻胶制作截面为5μm×5μm微电镀模的工艺流程,详细说明了工艺流程中影响实验结果的实验参数以及实验参数的优化方法,并用实验结果说明了应该避免的实验误区。最后根据优化后的参数制作出满足课题需要的实验结果。     

蒙特卡洛模拟方法在扫描电子显微学中的应用

用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中，借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程，从而理解各种衬度形成的物理机制。     

STM在微细加工中的应用

 已提出的各种可能机理有束流引起的化学反应,高电流密度使表面局部区域内原子加热导致的局部原子的蒸发、熔化、再结晶等,有些结构可能是由于污染物或针尖材料在表面上的沉淀而产生的.当样品表面有覆层或处于特定的气体或液体氛围下时,用STM仍可在其上产生各种细微结构,其主要方法可分为两类,其一是电子束光刻,其二是电子束辅助淀积和刻蚀,以下分别进行讨论。