4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。     

衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究1

该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。     

铝合金微弧氧化技术的应用

微弧氧化技术是铝合金表面硬化的一种新技术,通过对LY12、LC4两种铝合金材料的表面硬化实验,得出铝合金表面硬化的新工艺方法。     

衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性

利用衬底热空穴(SHH)注入技术,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化.阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中,而热电子的存在是氧化层击穿的必要条件.把阳极空穴注入模型和电子陷阱产生模型统一起来,提出了薄栅氧化层的击穿是与电子导致的空穴陷阱相关的.研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡.认为栅氧化层的击穿是一个两步过程.第一步是注入的热电子打断Si一O键,产生悬挂键充当空穴陷阱中心,第二步是空穴被陷阱俘获,在氧化层中产生导电通路,薄栅氧化层的击穿是在注入的热电子和空穴的共同作用下发生的.     

有机染料在多孔铝中的发光研究

用电化学方法制备的多孔阳极氧化铝具有孔径大小均匀、相互平行、排列规则的微孔结构,可作为多种发光材料的透明基底.以多孔铝为载体,将有机染料嵌入多孔铝孔中,获得有机染料固体镶嵌膜,测量了镶嵌膜的吸收光谱、光致发光谱.镶嵌膜的吸收光谱和液相染料的吸收光谱基本一致,光致发光谱的发光峰位蓝移,发光强度降低,但光谱线型更趋于对称.实验结果表明染料以单体形式存在于多孔铝中.通过对衬底多孔铝进行一系列后处理,发现热处理和扩大多孔铝空隙率可以增强镶嵌膜的发光强度.     

铝阳极氧化膜形成液的形成能力研究

在不同配方、不同pH值的低压和高压电解液中测试纯铝样品的电流变化,根据电流大小及电流变化速度,确定形成能力最强的介电用铝阳极氧化膜形成液。     

测辐射热计的氧化钒薄膜成技术研究和微桥结构研制

介绍了研制中的测辐射热计的工作原理,器件结构的几何形状和研制状况,叙述了测辐射热计材料的特征及制备技术。     

一维铌酸钠纳米杆的合成及光催化性能

以Nb2O5、NaOH为起始物,NaOH为矿化剂,通过传统水热法并结合后期热处理,成功制备了高结晶度、生长完善的一维正交相NaNbO3纳米结构。采用TG-DSC、XRD和SEM对不同阶段产物的组成、结晶结构、形貌进行了表征。将所制备的Na2Nb2O6·1.4H2O前驱样品在不同温度下热处理,当温度高于400℃时可以转变为一维的正交相NaNbO3纳米杆。随着热处理温度的升高,产物的结晶性保持良好,但其形貌开始发生扭曲甚至出现裂纹。另外,对不同后处理的样品进行光催化产氢测试,结果表明随着热处理温度的增大,一维铌酸钠纳米材料的光催化活性先增大后降低,当后热处理温度为400℃时,平均的产氢率可达104.5μmol·h–1。     

TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。     

光催化活性TiO2薄膜的研究进展

讨论了影响TiO2薄膜光催化性能的主要因素,如TiO2薄膜的晶体结构、晶粒尺度以及薄膜表面积和厚度等。介绍了提高TiO2薄膜光催化活性的三种主要途径,包括表面预处理、复合半导体以及金属沉积。对TiO2薄膜几种重要的制备方法和应用事例进行了叙述,并展望了此功能薄膜的应用前景。