自适应电子镇流器控制器IR2520原理及应用

IR2520是自适应镇流器控制器与600V半桥驱动器单片IC ,可用来驱动半桥配置中的荧光灯。文中介绍了IR2520的主要特点和基本原理 ,给出了它的典型应用电路。     

AMBE-1000声码器接口电路设计方法

DVSI公司的AMBE-1000声码器芯片是一款高性能的全双工、实时语音压缩编解码芯片,可以应用于卫星通信、保密通信、视频会议等领域.文中简要介绍AMBE-1000声码器的A/D-D/A接口以及信道接口的工作原理;结合实例分别给出了AMBE-1000声码器与PCM编解码器MC14LC5480的A/D-D/A接口电路、与单片机AT89C51的信道接口电路的设计方法;最后指出了电路设计中应该注意的问题.     

BEPCII直线加速器相控系统设计研究

为了补偿由于各种因素引起的微波相位漂移,BEPCII直线加速器需要建立微波相位反馈控制系统.能量最大法将用来确定每台功率源的最佳相位.沿直线加速器速调管长廊铺设相位稳定同轴线提供相位参考.现在已经完成了关键部件,如PAD单元、IfA 单元的开发.搭建了相控最小系统对系统进行了验证.     

用PM3量化参数预测多氯代二苯并呋喃的logKow

从现有的PCDFs分子的正辛醇 /水分配系数 (logKow)实验数据出发 ,建立定量结构 性质关系方程(QSPR) .采用G98W程序包中的PM3方法对 13 5个多氯代二苯并呋喃 (PCDFs)分子和二苯并呋喃进行了优化计算 ,作业命令为 #pPM3optfreqscf(conver =9) ,以计算所得的分子轨道能量、碳原子电荷作为PCDFs分子结构描述符 ,运用多元线性回归技术建立了PCDFs的logKow与分子结构描述符的四元方程 ,最优相关系数为 0 .95 0 7,标准偏差为 0 .173 7,经检验该模型的稳健性好 ,并对未有实验数据的 85个PCDFs的logKow进行预测     

微模塑法制备PMMA/SiO2二氧化硅杂化材料微结构

以摩尔比为 1∶1的甲基丙烯酸甲酯 (MMA)、甲基丙烯酸 (3 三乙氧基硅烷基 )丙酯 (ESMA)单体、0 .2 %(单体总量的质量分数 )的偶氮二异丁腈AIBN引发剂和四氢呋喃 (THF)溶剂 ,及 2 0 % (总质量分数 )的正硅酸乙酯TEOS合成出PMMA/SiO2 有机 无机杂化的杂化溶胶 .将溶胶在洗净的普通光学玻璃基片表面甩膜 .利用软刻蚀中的微模塑法 ,把有机硅弹性印章复制有精细图纹一面轻放在杂化溶胶膜上进行微模塑 ,外加 1N压力于12 0℃下处理 2h使溶胶凝胶化 .印章剥离后在基片表面就形成了PMMA/SiO2 有机 无机杂化材料的微图纹结构 .从微图纹的光学显微镜照片可以看出微模塑方法制备杂化材料复制的图纹精细度高 ,操作简单易行 ,是一类比较理想的微细图纹结构加工的方法 .     

TMN中业务管理层与网络管理层交互的实现

TMN管理着业务与网络的各种管理信息。TMN建设中一方面应致力于符合 TMN原则的业务管理层的建设 ,并使各专业网管向 TMN平稳过渡 ,另一方面应着力解决业务管理层与网络管理层的交互问题。业务管理层既面向用户 ,又面向网络管理者 ,在业务层与各专业网管的 TMN信息平台已建好时 ,二者可通过 X接口进行信息交互 ;当业务管理层未纳入 TMN轨道时 ,可通过 F接口与各专业网管中心交互。通过对业务管理层与网络管理层交互的一般的实现方法和设计的介绍 ,可望获得既符合实际情况又与 TMN接轨的解决方案。最后指出 ,在实施时仍有许多问题需进一步研究解决     

N-ISDN与B-ISDN用户/网络接口中呼叫控制协议的分析比较——Q.931与Q.2931协议的比较

分析了 N- ISDN与 B- ISDN的用户接入信令 ,比较了 Q.931与 Q.2 931协议在信令连接控制流程图、消息格式、定时器等方面的异同点。     

哪里有OS/2 Warp Server,哪里就有希望

OS/2 Warp Server的推出标志着IBM在网络操作系统的竞争中又前进了一步。 Warp Server具有竞争网络操作系统统治者地位所需的一切基础。 IBM针对这个Server产品所采取的行动确实非常漂亮。Warp Server留给我们的第一印象就是非常强大,除具备有竞争力的单处理器性能外,还带有多种工具,例如管理和备份设备软件。这些工具潜在地可以帮助那些非常重要的再销商提高利润。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。