AMMONIUM TREATMENT OF NATURAL CLINOPTILOLITE AND ITS CHARACTER OF ION—EXCHANGE

Ammonium can change the type of natural clinoptilolite from Jinyun of Zhejiang Province of China.The character of exchange and selectivity of ammonium type clinoptilolite to the alkali and alkaline-earth metal were investigated,the heatresistance and nitric acid-resistance of natural clinoptilolite were discussed.All types of clinoptilolite were researched by means of X-ray,IR spectroscopy,DTA analyses.The ion exchange was experimented by column operation,indicating that the valid amount of exchange capacity of NH4^+ type clinoptiloties is more than 25mg/g.     

用光刻胶作记录材料的全息图象拍摄

光刻胶常用作模压全息母版拍摄的记录材料。本文在叙述了它本身和模压工艺的特点后,指出要拍摄出质量好的光刻胶母版应当注意到的问题。诸如拍摄参数的选择应同时考虑到衍射效率和信噪比,照明的均匀性问题,必须用逆共轭光再现的问题,以及消偏振,相干长度,外界振动对拍摄的影响问题。最后分析说明拍摄的主要矛盾在于,只有用相干性好的大功率激光束,才能提高拍摄的信噪比,获得高质量的全息图片。本文是在大量的实验和检测的基础上写成的.     

倾斜代数的一类单点扩张(Ⅰ)

本文结合地运用倾斜的方法和向量空间范畴的表示理论系统地研究了倾斜代数借助前模N的单点扩张代数的结构和表示,特别是当N不可分解的情形,从而将倾斜代数的表示理论作了较大的推广.     

倾斜多丝正比室的性能研究

本文通过对倾斜式多丝正比室的束流测试数据和理论模拟计算数据的分析,对室的性能做了较为详细的研究.结果表明:该室在丝平面内垂直于丝方向的定位粒度好于200μm;室性能的实验结果与理论模拟计算结果相符.     

提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅰ）

介绍了目前用于提高亚半微米投影光刻机成像分辨力、增大焦深的新技术及主要研究方向．对大数值孔径和短波长技术、倾斜（离轴）照明技术、相移掩模技术、光瞳滤波技术、多焦面曝光技术以及表面成像技术的原理和现状作了较为详细的阐述，通过与现有技术及条件比较，提出了研制亚半微米光刻机应采用的技术途径．     

紫外激光刻蚀聚酰亚胺

本文报导了紫外激光(308nm,266nm)刻蚀聚酰亚胺的阈值、刻蚀速率、分辩率等实验结果,并对结果进行了分析讨论。     

PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制

对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。     

Pyrex玻璃的湿法刻蚀研究

对Pyrex 7740玻璃的湿法刻蚀工艺进行了研究。实验中采用了几种不同的材料(光刻胶、Cr／Au、TiW／Au)作为刻蚀玻璃的掩膜，通过实验发现TiW／Au掩膜相对目前比较常用的Cr／Au掩膜有很多优点，如减少了玻璃的横向腐蚀，增加了深宽比，刻蚀图形边缘更加平滑等。还研究了腐蚀液成分配比对刻蚀结果的影响，发现刻蚀速率随HF浓度的增加而增加，且在HF浓度一定时，加入少量HNO3可以明显提高刻蚀速率。本文的实验结果对一些MEMS器件特别是微流体器件的制作有一定参考作用。     

等离子刻蚀工艺中UV坚膜技术研究

对正性光刻胶进行UV坚膜处理，可有效地保持图形形貌的完整性，并提高抗蚀性能，可消除等离子刻蚀中容易产生的燃胶等现象，但坚膜用起始温度、终点温度、温升速率及UV光照时间等参数对坚膜效果均会产生较大的影响。参数选择不当，同样会产生不良效果。     

高均匀性高选择性的多晶硅刻蚀工艺

作者采用HCl和HBr作为刻蚀气体，在Tegal1611设备上刻蚀Poly－Si，研究了工艺条件，如压力、功率等对工艺结果的影响，得到了相当好的工艺结果，并成功地应用于125mm晶片MOS电路的大生产中。