3轴加速度传感器将在消费电子产品中普及

如果将手机倾斜放置,屏幕图像就会模拟液体流动的样子一同倾斜。NEC于2006年8月上市的手机N702iS就具有这种独特功能。为了实现该功能,N702iS内置了3轴加速度传感器,以检测机身的倾斜。     

激光刻蚀银纳米粒子岛膜的SERS特性

利用激光刻蚀的方法,通过改变激光脉冲的能量,制备出一系列的纳米金属银胶体。将银胶体沉积在铝基底上形成一层银岛膜。用紫外—可见吸收光谱、SEM及拉曼光谱对银胶体和银岛膜进行了表征。研究结果表明,刻蚀所用激光脉冲的能量影响胶体中银颗粒的分布;不同能量下制备的胶体所形成的银岛膜具有不同的表面增强效果;该岛膜具有增强效果优异、制备简便等特点。     

电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB₆作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB₆基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB₆微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB₆基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB₆材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.     

1056 MHz反台晶体温补振荡器

介绍应用离子束刻蚀技术制作的三次泛音264 MHz反台晶体谐振器,制作1 056 MHz的温补晶体振荡器。由于晶体致薄技术的改进,突破了传统工艺晶体频率的上限,而晶体频率的提高,进一步改善了晶振的性能、体积、功耗等,简化了电路。     

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.     

光学瞄准系统像倾斜及分划倾斜的测试及测试系统误差分析

在光学望远系统中,只要是具有棱镜的光学系统,都有可能存在像倾斜的问题.对于像倾斜及分划倾斜的测试,目前的测试方法是利用测斜前置镜,测试时需要用眼睛瞄准读数,这必然会引入主观判断误差.为提高望远系统测量瞄准精度,采用高分辨率CCD经图像处理,由计算机直接给出测量结果,消除了人为主观因素的影响,其测量准确度较高且操作简单.对像倾斜及分划倾斜的测试原理进行了论述,并对其测试系统进行了误差分析.     

Extended breakdown of Simpleman approximation

In this letter, we solve three-dimensional time-dependent Newton equations for atoms interacting with a ten-cycle elliptically polarized laser pulse. The ionized electron momentum distributions show a tilt angle between the distribution density peak and the main polarization axis. The tilt angle’s behavior changes with an increasing laser intensity. We show that this behavior change is directly related to the release time of the electron from the atom.     

北方微电子“等离子刻蚀机”荣获2009年度“国家科技进步二等奖”

2010年1月11日，一年一度的国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，党和国家领导人胡锦涛、温家宝、李长春、习近平、李克强出席大会并为获奖代表颁奖。国家科学技术奖励是我国科技界的一大盛事，更是对我国科技创新能力的一次大检阅，各大奖项的归属已成为科技界乃至全社会关注的焦点。     

应用材料公司推出Centris^TM刻蚀系统，开启智能高产芯片制造新纪元

日前，应用材料公司宣布推出强大的Applied Centris^TM AdvantEdge^TM Mesa^TM刻蚀系统，它是面向世界上最先进的存储和逻辑芯片的批量生产而推出的智能化程度最高、速度最快的硅刻蚀系统，开启了芯片制造的新纪元。