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81.
马沂 《激光与光电子学进展》2006,43(8):76-76
德国科学家研发出一种输出功率超过2mw的连续波中红外(4~5gm)光源,它显著降低了微量气体监测仪器的成本。据这个研究团队报告,器件上光抽运PbSe层表面的花样使光的提取效率提高了6倍。 相似文献
82.
介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比。研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80。为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考。 相似文献
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84.
85.
应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高. 相似文献
86.
自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波,由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统,结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术,在以碳氢(CH)等元素为主要组成的有机聚合物(PMMA)表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,所得图形线条清晰,侧边比较陡直。 相似文献
87.
提高考夫曼型离子源束流密度的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果,对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究,取得了一些有价值的结果。 相似文献
89.
利用镓源二级透镜聚焦离子束装置在半导体基片上进行了一系列的无掩模刻蚀实验研究,在不同材料上刻蚀了各种图形,总结分析了不同参数的聚焦离子束对刻蚀的影响。 相似文献
90.