多孔硅纳米材料的制备及在高能锂电池中的应用

多孔硅纳米材料具有巨大的比表面积,可调控的物理化学性质,在药物治疗、传感、能源储存与转化等领域拥有巨大的应用前景。尤其在高能量密度锂离子电池领域,多孔硅由于其丰富的孔道结构能有效释放充放电过程中硅体积变化带来的巨大应力以及大大地缩短锂离子传输距离,而引起了人们的广泛研究兴趣。但是,开发简便快速的方法来合成结构可调变的多孔硅纳米材料仍是当前研究的挑战。近年来,一些用来合成多孔硅纳米材料的方法已有报道。我们基于本课题组最近的研究进展和近年来相关文献,比较详细综述了近年来多孔硅纳米材料的制备方法以及重点关注其在高能锂电池领域的应用。最后,对多孔硅纳米材料的未来发展方向做了进一步的展望。     

多晶硅制绒工艺研究

本文讨论了多晶硅制绒工艺技术,对比多晶硅在碱混合液和酸混合液中制绒,酸溶液制绒能更好的改善多晶硅表面减反射作用。采用显微镜及模拟日光器对电池性能检测分析,结果表明,不同绒面的多晶硅电池电学性能参数存在差异,并对多晶硅的最佳刻蚀深度进行了总结。     

Ar^＋刻蚀对MoS2润滑膜分子结构的影响

采用Ar^ 离子溅射源进行XPS和AES剖面分析,结果发现,Ar^ 对MoS2分子中的S原子产生“择优”选择刻蚀并随之生成非化学计量比的MoSx,Mo原子被还原,Mo3d结合能值向低端位移约1．7eV。应该注意的是,采用Ar^ 溅射进行XPS剖面分析时不能确定材料表面和界面元素的化学价态,S／Mo原子比同实验值之间亦存在差异,故应采用有关软件对实验结果进行修正。     

耐等离子刻蚀陶瓷的研究现状

等离子刻蚀技术是超大规模集成电路制备工艺中不可或缺加工技术.在半导体晶圆尺寸不断增大以及特征尺寸不断缩少的发展进程中,晶圆的污染问题越来越突出.而刻蚀机腔室材料作为晶圆的主要污染源之一,其耐等离子刻蚀性日益受到人们的关注.本文主要介绍耐等离子体刻蚀腔体材料的特性及目前国内外的研究与发展现状.     

一种复杂车辆图像中的多车牌定位方法

针对复杂背景中多个车牌的定位问题,提出一种新的定位方法.该方法综合利用边缘检测、连通域分析、倾斜矫正等多种方法,解决了复杂背景中定位难的问题.能够准确定位杂乱背景中的车牌,对天气、光照变化、车牌在图像中的移动和旋转等,具有良好的适应能力.该方法为后续的字符分割和字符识别提供旋转角度、字符区域定位信息.     

基于Marangoni效应的光学元件化学抛光工艺研究

介绍了Marangoni界面效应及化学抛光反应机理,进行了数控抛光刻蚀实验研究,包括刻蚀稳定性实验、刻蚀量与刻蚀头速率的关系以及初步的面形修复加工.通过对实验结果进行分析,得到稳定可控刻蚀抛光的上限刻蚀速率和刻蚀效率与刻蚀头走速的函数关系.     

应用材料公司宣布推出全新Centura？AvatarTM刻蚀系统

今天,应用材料公司宣布推出全新的Ap-plied Centura Avatar刻蚀系统。该系统主要针对高深宽比刻蚀应用,如制造新兴的三维NAND存储结构。     

基于几何约束的车牌倾斜检测方法

提出了一种新的基于车牌图像几何约束的车牌倾斜角自动检测算法。算法以车牌字符轮廓的最低点为基本信息,用矩的方法确定车牌的倾斜角度。本算法创新性地采用字符顶点的几何约束信息再用矩的方法得到倾斜角度。结果表明,该算法运算量小,速度快,校正精度高。     

Theoretical Analysis of Interference Nanolithography of Surface Plasmon Polaritons without a Match Layer

Interference nanolithography techniques based on long-range surface plasmon polaritons （LR-SPP） are hardly ever achieved by experiments at present. One key reason is that suitable liquid materials are difflcult to find as the match layer connects the metal film and the resist. We redesign a Kretschmann-Raether structure for interference lithography. A polymer layer is coated under the metal film, and an air layer is placed between the polymer layer and the resist layer. This design not only avoids the above-mentioned question of the match layer, but also can form a soft contact between the polymer layer and the resist layer and can protect the exposure pattern. Simulation results confirm that a device with an appropriately thick polymer layer can form high intensity and contrast interference fringes with a critical dimension of about λ/7 in the resist. In addition, the fabrication of the device is very easy.     

倾斜入射的波前编码系统的点扩散函数扩大效应分析

通过对坐标系统进行旋转，计算得到了三次型波前编码系统的倾斜入射的光瞳函数，并给出了近似表达式. 分析表明倾斜入射会产生三次相位扩大效应和离焦扩大效应，它们和入射角的正负无关，且随着入射角绝对值的增大而增大. 这表现在点扩散函数(point spread function, PSF)上会扩展PSF包络的两条直角边，表现在调制传递函数(modulation transfer function, MTF)上会降低MTF值. 子午面倾斜入射时，子午方向的三次相位扩大效应和离焦放大效应大于弧矢方向，从而导致子午方向