微反应器和微聚合反应器

微反应器是指容量仅为零点几μm^3或宽度为1μm左右的反应“容器”，反应在这个微小区域内有控地进行。以表面科学与微制造技术为核心，新型微反应器近年来发展很快。本文介绍五种微反应器，即反相胶束微反应器，聚合物微反应器，固体模板微反应器，微条纹反应器和微聚合反应器，以及它们在各高科技领域中的可能应用。     

Storage-Reduction of NOx over Combined Catalysts of Pt/Ba/Al2O3-Mn/Ba/Al2O3： Carbon Monoxide as Reductant

Storage-reduction of NOx by carbon monoxide was investigated over combined catalysts of Mn/Ba/Al2O3-Pt/Ba/Al2O3. Combination of Mn/Ba/Al2O3 and Pt/Ba/Al2O3 catalysts in different ways showed excellent NOx storage-reduction performance and the content of Pt could be reduced by 50%. Not only the addition of 5Mn/15Ba/Al2O3 to lPt/15Ba/Al2O3 could improve its storage ability, but also enhance the NOx conversion consequently. NOx conversion over the combined catalysts (the combined catalysts I and II) was increased under dynamic lean-rich burn conditions, the maximum NOx conversion increased from 69.4% to respectively 78.8% and 75.7% over two combined catalysts.     

芳香共聚酯B-N多种向列织构的形态研究

从一种聚芳酯B-N得到了丝状(包括细丝和粗丝)、纹影状和大理石纹状等与小分子向列液晶相似的多种织构。由于样品淬火后晶片装饰在织构上而不影响分子取向矢的分布,因而可以用化学刻蚀和电镜技术揭示其向错和取向矢图。电镜和光学显微镜的结果相互补充,表明了细丝和粗丝状织构的分子取向矢分布很不相同,是两种不同的织构,而粗化始于第二熔融降温。在这些向列织构中分别发现了S=±(1/2)和s=+1的向错的例子和平面内微区转向壁的证据。     

MEMS技术迈向消费电子应用

硬盘读写头、微显示器(Microdisplays)和微量喷墨头,目前占据着70%以上的MEMS市场。而汽车电子、移动通讯、消费电子、以及医疗检测等领域,将是MEMS技术产业化应用的新热点。ST微电子MEMS事业单位前道技术和制造总监BenedettoVigna表示,ST的MEMS技术因具多轴响应、分辨率高、功耗低、单封装等特点,在运动传感器、加速计以及倾斜传感器市场大受欢迎。先进封装技术作保MEMS更加稳定MEM(SMicroElectroMechani-calSystems)本质上是一种把微型机械元件(如传感器、制动器等)与电子电路集成在同一颗芯片上的半导体技术。大多数芯片只…     

新产品

碳化硅处理技术；干法反应离子刻蚀设备；光刻胶剥离液／残留物去除液；桌面型加热炉；自动化清洗系统……     

表面等离子共振传感器的原理与进展

表面等离子共振光谱(Surface Plasmon Resonance,SPR)是近年来得到快速发展的一门技术。它是一种无标记的、可用于实时定量检测某些固定于传感芯片上的组分与被结合物种间的绑定亲合度(binding affinity)、且可用于对相对小量物质进行检测的重要手段。由于它可方便地研究不同生物或化学物种的有关反应与动力学问题,因此具有重要的实用意义,受到广泛关注和重视。本文对有关等离子共振现象的形成及其作为敏感检测手段的机制、原理和改进等问题作了简要的介绍。     

HF气相刻蚀技术及其在MEMS加速度计中的应用

本文介绍了一种用于微结构干法释放的HF气相刻蚀技术。通过调节工艺参数(包括腔体压力,HF流量,乙醇流量,氮气流量)研究其对二氧化硅刻蚀速率和均匀性的影响,得到刻蚀速率在500魡/min左右,均匀性5%左右的工艺菜单。该技术运用于MEMS加速度计中,成功实现了梳齿结构和质量块的无粘连释放。     

倾斜层中的对流斑图及其临界条件

通过二维流体力学基本方程的数值模拟，探讨了Prandtl(普朗特)数Pr=6.99时，倾斜矩形腔体中的对流斑图和斑图转换的临界条件.根据倾角θ和相对Rayleigh(瑞利)数Ra_r的变化，倾斜矩形腔体中的对流斑图可以分为:单滚动圈对流斑图、充满腔体的多滚动圈对流斑图和过渡阶段的多滚动圈对流斑图.当θ一定时，随着Ra_r的减小，系统由充满腔体的多滚动圈对流斑图过渡到单滚动圈对流斑图.这时，对流振幅A和Nusselt(努塞尔)数Nu随着Ra_r的增加而增加.当Ra_r=9时，随着θ的增加，系统由充满腔体的多滚动圈对流斑图过渡到单滚动圈对流斑图，这时对流振幅A随着θ的增加而减小，Nusselt数Nu随着θ的增加而增加.在θ_c-Ra_r平面上对多滚动圈到单滚动圈对流斑图过渡的模拟结果表明， 在Ra_r=2时, 腔体中没有发现多滚动圈对流斑图.在Ra_r为2.5左右时，腔体中出现多滚动圈到单滚动圈对流斑图的过渡.当多滚动圈到单滚动圈对流斑图过渡的临界倾角θ_c<10°时，θ_{c随着Rar的减小而增加.当θc>10°时，θc随着Rar的增加而增加，在Rar≤5时，θc随着Rar的增加而迅速增加；当Rar>5时，θc随着Rar的增加而缓慢增加.θc与Rarθ的关系与Rar类似}     

离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进

高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果.