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11.
Deposition of Diamond-Like carbon Films by High-Intensity Pulsed Ion Beam Ablation at Various Substrate Temperatures
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Diamond-like carbon (DLC) films have been deposited on to Si substrates at substrate temperatures from 255℃ to 400O℃ by a high-intensity pulsed-ion-beam (HIPIB) ablation deposition technique. The formation of DLC is confirmed by Raman spectroscopy. According to an x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the concentration of sp^3 carbon in the films is about 40% when the substrate temperature is below 300℃ C. With increasing substratetemperature from 25℃ to 400℃, the concentration of sp^3 carbon decreases from 43% to 8%. In other words,sp3 carbon is graphitized into sp^2 carbon when the substrate temperature is above 300℃. The results of xray diffraction and atomic force microscopy show that, with increasing the substrate temperature, the surface roughness and the friction coefficient increase, and the microhardness and the residual stress of the films decrease. 相似文献
12.
1μm宽硅深槽刻蚀技术 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。 相似文献
13.
本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。 相似文献
14.
薄膜磁头磁轭制备工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文重点讨论了用不同的工艺方法来制备薄膜磁头中的关键元件-磁轭。采用多次光刻的方法克服湿法工艺中磁性膜NiFe层的侧向钻蚀问题,从而实现对磁轭几何尺寸的精确控制,并对几种工艺方法的优缺点作了比较详细的分析。 相似文献
15.
将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。 相似文献
16.
17.
本文引进了具有性质(G'k)的Wakamatsu倾斜模的概念,并用同调有限子范畴的性质对其进行了刻画. 相似文献
18.
19.
20.
GaAs器件工艺中等离子刻蚀及计算机辅助监控技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
陈正明 《固体电子学研究与进展》1994,14(2):182-185
用N2气和NF3反应气体,在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶AZ1518作掩模,均匀、快速刻蚀SiO2,SiON,Si3N4,WN,W等材料的等离子刻蚀技术。利用到蚀过程中射频参数的变化和计算机技术,将射频参数的变化在计算机屏幕上实时显示,实现了计算机辅助监控和终点检测技术。 相似文献