业精于专 方显卓越——访维利安半导体设备(上海)有限公司销售总监姜至善

“业精于专,方显卓越”微雕大师如是说。当前,许多晶圆代工厂以200mm、0.18μm作为半导体集成电路的主要技术及产品提供给市场,有的晶圆代工厂200mm、0.18μm产品已达到60%。但是为了抢占市场的至高点,目前相当部分的芯片制造商目前正在把0.18μm工艺提升到0.13μm,随着芯片制造工艺技术的提高,对离子注入机的技术要求也越来越高。记:姜总,维利安半导体设备公司作为一家在离子注入机领域享有很高知名度的半导体设备供应商,您能否简单地给我们介绍一下?姜:维利安半导体设备公司(纳斯达克简称:VSEA)是一家全球性的跨国高科技公司,总部位于美…     

MOCVD技术

金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简称 MOCVD)自 20 世纪 60 年代首次提出以来,经过 70 年代至 80 年代的发展,90 年代已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术,特别是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法。到目前为止,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看还没有其它方法能与之相比。MOCVD技术     

矩形片筏基础的挠度分析

工程上对片筏的力学分析，通常采用温克勒地基模型，且假定床基系数是常量。本则认为床基系数是坐标的函数，考虑了具有线性变化床基系数的地基上的片筏，利用伽辽金法求得周边固支片筏在均布荷载作用下的挠度。所得结果颇具一般性且实用价值更高。     

双面回流焊接过程中掉片问题的研究

针对目前双面回流焊接的日益增多及用户在对双面回流时担心的元件掉落问题，对其进行较为系统的试验验证，为双面回流提供技术支持数据。     

高剂量率单次快脉冲辐射参量测量

记述了“强光一号”高剂量率脉冲辐射装置在状态调试过程中对其出射波形和辐射剂量进行监测的基本情况，实际监测的结果与设计方监测的结果进行了比对，双方的剂量监测值基本一致，偏差在20％以内；双方的波形形状十分相似，但测量得到的波形半宽度却相差10～20ns，最后对双方束流监测产生的差异进行了定性分析。     

基于PTFE的PCB的多层层压方法

介绍了采用不同材料类型的粘结膜、半固化片、所需设备和粘结材料,用于生产低到高层数的PTFE多层板的情况。     

单片集成电路电话机电路剖析

单片集成电路电话机电路剖析陈振源目前的按键电话机一般有３片集成电路，分别实现拨号、振铃及通话的功能。美国摩托罗拉公司生产的ＭＣ３４０１］电话，机单片集成电路可提供双音频话机所必需的全部基本功能见图１。即芯片可实现双音频拨号．振铃和通话放大功能，大大减...     

三脉冲不等强度激光片光源的研制及应用

本文报道了最近研制成功三脉冲不等强度调Q红宝石激光片光源系统.利用小颗粒对片光源90°方向的散射光对动态颗粒场进行高速摄影,从底片中能够精确直观地判断微小颗粒的瞬时分布、运动方向、速度和加速度情况.     

设备综合效率成为半导体工业最重要的评估方法

为了保持半导体工业２５％～３０％的年增长率，必须大大提高设备效率。一种新的被称为ＯＥＥ（设备综合效率）的评估方式，为芯片制造者和设备供应者提供了进一步理解和改进生产率的极好方法。