可编程并行接口8255A在单片机和高档微机并行通信中的应用

文章介绍了可编程并行接口８２５５Ａ在单片微机８０３１和高档微机８０３８６或８０２８６并行通信中的应用。设计的电路数据传输速度快，可靠性高。     

提高集成电路后工序成品率的方法

本文从生产实际出发，剖析了影响集成电路后工序成品率的原因，并针对生产线工序指数能力着手，找到了解决问题的方法，使成品率有了很大的提高。     

FRA监控系统的研究

在介绍FRA(光纤Raman放大器)结构的基础上,提出了其监控系统的实现方案。从放大器需要监控的指标开始分析,详细介绍了硬件的设计以及相应监控软件的功能实现。其中作者已经成功研制C波段FRA,其片上系统(SOC)监控方案应用于该放大器,取得良好的监控效果。该系统具有集成度高、自动、灵活、准确的特点。     

多波长线性回归法测定脑宁片的含量

本文采用多波长线性回归法测定脑宁片的含量。计算程序采用BASIC语言编制。氨基比林和咖啡因的回收率和相对标准偏差分别为98.03%-100.9%,1.0%-和97.77%-99.39%,0.61%。本法不经分离直接测定脑宁片中二组分的含量,方法简便、快速、结果满意。     

模拟数字信道中产生符合Poisson分布误码的方法

按照Poisson分布的一般特性,对信道中的产生满足该分布的误码数学模型进行了分析,着重在该基础上提出了几种实用的模拟这种误码产生的方法,并对其加以比较。     

在挠性印制板中埋嵌无源和有源元件

文章介绍了在挠性印制板中埋嵌无源和有源元件的方法。通过化学镀Ni(P)电阻可以实现薄膜电阻的埋嵌,并能保证一定的弯折性。通过对芯片进行背面减薄和倒装连接,可以实现有源芯片的埋嵌。随后还对埋嵌元件的可靠性进行了测试。     

磁驱动飞片的三维数值模拟及分析

磁驱动准等熵加载和超高速飞片发射是一种全新的冲击动力学和高能量密度物理实验加载技术。利用三维磁流体动力学软件,模拟了磁驱动飞片的物理过程,计算得到的飞片自由面速度与实验结果符合较好。通过计算飞片横断面的温度、密度和磁场分布,得到了加载过程中磁扩散速度和飞片的剩余厚度。飞片加载过程中飞片边缘的卷曲变形严重,分析认为是由电流和磁场分布的不均匀导致飞片边侧受斜上方较大的加载力所致,并且电流分布的不均匀是主要因素。实验设计时,可利用极板构型的变化调节加载面的电流分布,从而提高飞片的平面性,减小边侧的卷曲变形。     

双相TiAl中γ层片界面的Σ值及界面的稳定性

材料的力学性能与其内部界面结构特性（如Σ值）及其分布有密切的关系，通过各种处理可改变材料内不同Σ值晶粒边界的分布比例，达到改善力学性能的目的。层状组织的引入使ＴｉＡｌ合金的性能发生了很大改变。在同一层片组织中，α２层片与γ层片及γ层片与γ层片间以特定...     

用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)

研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。