高压下氢化锂晶体中的离子间力与结合能公式的原子分子设计

本文提出一种利用材料Hugoniot数据研究高压下离子晶体中微观离子状态及其离子间排斥作用势的新方法。对氢化锂晶体进行研究时,我们得到Li~+和H~-离子之间排斥作用势函数,结果表明文献〔1〕中提出的离子压缩效应具有客观性。     

KTP晶体中一种特殊缺陷的研究

研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。 关键词：     

单台固定的激光晶体发射出红、绿、蓝色光

含有单个活性增益材料的固体激光器同步产生了红、绿、蓝色光，这种器件对于全彩色成像系统是非常有价值的．具有特色的是，该RGB激光是由激光棒和非线性晶体的复杂组合而实现的．单晶RGB激光器的一个样机已由法国Claude Bernard-Lyon大学和中国科学院开发出来，它是由基于钕掺杂的四硼酸钆铝晶体(NGAB)制作的．     

我国发展数字电视的现状、问题与对策(下)

(上接第 11期 )5　数字化电视自 2 0世纪 70年代开始 ,国际通信技术率先向数字化发展 ,此时数字集成电路和微处理器发展非常迅速 ,很多电子设备如通信设备、测量仪器、控制设备、广播电视设备等开始采用数字电路和微处理器 ,以提高设备的性能和增加新的功能 ,在电视机方面出现采用微处理器的遥控器 ,采用由半导体存储器 (RAM)构成的帧存储器实现画中画 (PIP)功能等 ,同时在国际上出现数字处理电视机 ,2 0世纪 90年代后期我国电视机厂家采用数字处理集成电路生产数字处理电视机 (DPTV)。5 .1　什么是数字处理电视机我国电视台播放的电视…     

Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

Low-threshold, high-efficiency, high-repetition-rate optical parametric generator based on periodically poled LiNbO3

We report a high-repetition-rate optical parametric generator (OPG) with a periodically poled lithium niobate (PPLN) crystal pumped by an acousto-optically Q-switched CW-diode-end-pumped Nd:YVO_4 laser. For the maximum 1064nm pump power of 970mW, the maximum conversion efficiency is 32.9% under the conditions of 250℃, 1064nm pulse repetition rate of 22.6kHz and pulse width of 12ns, and the PPLN OPG threshold in the collinear case is less than 23.7μJ. The output power increases with the increase of the crystal temperature. The 1485－1553nm signal wave and 3383－3754nm idler wave are obtained by changing the temperature and the angle of the PPLN crystal.