全文获取类型
收费全文 | 9243篇 |
免费 | 1946篇 |
国内免费 | 2248篇 |
专业分类
化学 | 3185篇 |
晶体学 | 318篇 |
力学 | 969篇 |
综合类 | 183篇 |
数学 | 591篇 |
物理学 | 3144篇 |
无线电 | 5047篇 |
出版年
2024年 | 146篇 |
2023年 | 417篇 |
2022年 | 497篇 |
2021年 | 510篇 |
2020年 | 321篇 |
2019年 | 367篇 |
2018年 | 227篇 |
2017年 | 305篇 |
2016年 | 341篇 |
2015年 | 367篇 |
2014年 | 658篇 |
2013年 | 522篇 |
2012年 | 508篇 |
2011年 | 582篇 |
2010年 | 515篇 |
2009年 | 619篇 |
2008年 | 672篇 |
2007年 | 603篇 |
2006年 | 593篇 |
2005年 | 553篇 |
2004年 | 429篇 |
2003年 | 411篇 |
2002年 | 394篇 |
2001年 | 346篇 |
2000年 | 269篇 |
1999年 | 259篇 |
1998年 | 247篇 |
1997年 | 271篇 |
1996年 | 229篇 |
1995年 | 180篇 |
1994年 | 214篇 |
1993年 | 142篇 |
1992年 | 169篇 |
1991年 | 161篇 |
1990年 | 155篇 |
1989年 | 115篇 |
1988年 | 41篇 |
1987年 | 20篇 |
1986年 | 19篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
161.
162.
163.
164.
集成电路制造技术的不断进步,给缺陷定位带来巨大的挑战。传统的测试芯片和现有的可寻址的方法都无法满足当前缺陷快速准确定位的要求。本文提出了一种改进的可寻址测试芯片的设计方法:每个测试结构采用四端法连接以及单一的NMOS晶体管作为开关电路,以保证电性测量结果精确、电路设计的简洁以及面积利用率的进一步优化;并利用开关电路增加少量测试引脚,以方便物理缺陷定位的进行。该方法在110nm的CMOS工艺中得到应用。经过实际生产验证,实现了金属层断路等缺陷的定位,有效发现了该工艺中失效缺陷的成因,从而帮助实际的成品率实现快速提升。 相似文献
165.
触发真空开关(Triggered Vacuum Switch——TVS)是一种高性能参数、高可靠性、长寿命和低成本的电真空器件,它是一种很有前途的新一代电器元件。本文叙述了触发真空开关的几种应用场合和市场前景。深入研究了两种触发方式的触发极结构、工艺和性能。 相似文献
166.
基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,钛间隙和氧间隙沿[001]方向具有最小的扩散势垒路径,激活能分别为0.505 eV和0.859 eV;氧空位和钛空位的势垒最小的扩散路径分别沿[110]方向和[111]方向,激活能分别为0.735 eV和2.375 eV. 相似文献
167.
多体刚性椭球模型是一种比较精确的描述氦原子与钠分子碰撞的理论模型.本文用多体刚性椭球模型计算了不同能量下He的同位素原子3He,4He,7He,10He与Na2分子碰撞的转动激发积分散射截面,表明增加椭球等势面个数可以得到更准确的转动激发积分散射截面;总结出3He,4He,7He,10He-Na2碰撞体系转动激发积分散射截面随相对入射能量和体系约化质量变化的规律;讨论了相对入射能量为100meV时,相互作用势的不同区域对4He-Na2碰撞体系转动激发积分散射截面的影响情况. 相似文献
168.
通过对CMOS芯片引线键合过程中发生铝焊盘剥落和出现"弹坑"两种现象进行分析,明确了该类故障现象的发生是由于键合焊盘受到了不同程度的机械作用而产生的不同程度的损伤.对可能造成该类故障现象的因素进行分析,主要因素有:芯片自身存在结构薄弱或原始缺陷,键合材料、键合参数等匹配不佳,操作中引入的不当因素等.对引线键合的方式和原... 相似文献
169.
为了研究瑞利波与圆柱表面缺陷的相互作用,并以此作为检测圆柱表面缺陷的理论依据,设计了一套实验装置,该装置采用脉冲激光线源产生超声波,激光干涉仪探测瑞利波信号,通过改变激发源与人工缺陷的相互位置研究了瑞利波与缺陷的相互作用过程。实验中在不同的相互位置得出了不同的瑞利波波形,反射瑞利波的峰-峰值随激光源与缺陷的距离减小而增大,且当激发点位于缺陷边缘处时波形的极性改变。结果表明,当应用本装置时,通过改变人工缺陷与激光光源相对位置,再利用检测峰-峰值的极大值情况和根据接收到的瑞利波的极性可以判断缺陷的位置。 相似文献
170.