基于FPGA和LVDS技术的光缆传输技术

为了解决弹上记录器和地面测试台之间高速数据流远距离传输问题,提出一种利用低电压差分信号(LVDS)接口器件实现数据远距离传输的设计方案.实验证明该方案传输速度达到20 Mb/s,传输距离达到300 m,传输速度和传输距离得到显著提高.该优秀的长线传输技术已成功应用于在某项目中.     

Intersil推出三款小巧、厚度极薄的实时时钟（RTC）器件

Intersil公司宣布,推出三款小巧、厚度极薄的实时时钟（RTC）器件-ISL12057、ISL12058和ISL12059,非常适用于低电压和便携式应用。     

一种低电压的Sigma-Delta ADC新结构

介绍了一种低电压Sigma-Delta ADC新结构,该结构采用了二阶单位增益ΣΔ调制器和一阶传统ΣΔ调制器相结合的方式,既可以从系统级降低对运放直流增益等非理想因素的要求,又可以减少加法器的个数、降低电路的复杂度。在此基础上,采用HJTC0.18μm1.8V/3.3V1P6M混合信号工艺,实现了一种1V工作电压的ΣΔ调制器,经测试动态范围可以达到69.5dB。     

低电压，升压型DC／DC转换器

该系列支持宽输入电压范围（ADP1612为1．8～5．5V,ADP1613为2．5～5．5V）以及可调的输出电压,使得这些新型升压转换器可以延长电池续航时间,而不用调节输入电压。这些升压型转换器采用PWM（脉宽调制）电流模式架构,以便调节各种负载条件下的输出电压,并帮助降低启动时产生浪涌电流的风险。     

一种用于音频系统的1.1mW 87dB动态范围的ΔΣ调制器

本文描述了一款应用于音频系统的1.1mW 87dB动态范围的 Delta-Sigma 调制器的设计,设计采用0.18um CMOS工艺。由于采用带有前馈支路的多比特结构,第一级积分器的输出摆幅得到有效压缩。第一级积分器采用结构简单,直流增益仅34dB,工作在1V电压下的电流镜型跨导放大器。在3KHz信号输入下,该调制器可在100Hz~24KHz的频率范围内达到83.8dB的峰值SNDR和87dB的动态范围。     

用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器

据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机高频光器件制作所开发了用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器。HBT的主要特性为:DC电流增益100 typ,基极集电极耐压22 V,集电极发射极耐压15 V,基极集电极二极管等价直流阻抗6Ω(4 mA/100μm~2电流时)。该功率放大器在频率824 MHz、输出功率28 dBm时,功率增益27.7 dB,邻沟道泄漏功率抑制比-50.5 dBc,功率附加效率36%;在频率925 MHz时,功率增益27.5 dB,邻沟道泄漏功率抑制比-51.3 dBc,功率附加效率36%。其工作温度范围为-20～+85℃。     

符合IEEE 802．3af规范的功率器件IC

LM5070功率器件(PD)接口端口IC符合IEEE 802．3af标准，简化了支持以太网供电(PoE)的系统设计。该器件把80V、400mA线路连接转换器及相关PoE接口电路和为各种负载提供较低电压的AC／DC控制器集成在一起。     

一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器

研究了一种采用线性化技术的低电压CM O S射频放大器。电路中,并联一个工作在线性区的M O S管来提高其线性。采用SM IC的0.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大器的输入三阶交截点功率提高了大约5 dB。     

NP110N04PUJ，55PUJ：Power-MOSFET

NEC电子（欧洲）推出两款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以扩展其低电压PowerMOSFET系列产品。新产品采用NEC电子的Super Junctionl技术，具有杰出的优值系数（FOM）。可最小化开关损耗并提高系统效率。