Kondo绝缘体CeNiSn的低温物性研究

对ＣｅＮｉＳｎ的多晶样品进行了磁化率ｘ（１．８－２０Ｋ），电阻率ρ（３－１００Ｋ），Ｈａｌｌ系数Ｒ（４．２－３２Ｋ）和低温比热（１．２－３０Ｋ）的测量，经Ｘ射线衍射分析，该样品为单相结构，磁化率Ｘ在较高温区（３０－２００Ｋ）遵循Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ定律，并可推定出Ｃｅ离子的价态是＋３价的，在３０Ｋ以下磁化率Ｘ明显地偏离该定律并急剧增大，显示出明显的Ｋｏｎｄｏ行为，在１５Ｋ以上，ρ（Ｔ）很好地符合     

带平台多阶振幅量化的低副瓣口径分布

本文提出了一种带平台多阶振幅量化的低副瓣口径设计方法并论述了其分析方法和计算公式，给出了本文算法与作者（１９９３）提出的“多阶振幅量化方法”在峰值副瓣电平、口径效率、归一化输入功率以及具有容差情况下的副瓣亚化等的计算比较结果，结果表明，在相同的条件下，本文提出的方法优于“多阶振幅量化方法”。     

航空电子设备用低反射高透射宽视角TFT—LCD

在航空电子设备中应用的液晶显示器，要求在宽视角范围内具有高亮度，低反射，高对比度，良好的色饱和度与灰度识别。本文提出了几种独特的解决办法以达到这些严格的要求。为了减少在下显示器的反射利用等离子体增强ＣＶＤ技术，沉积了光学成像设备公司（ＯＩＳ）专用的多层无机黑矩阵，测得最终显示器的镜射率低于０．６％。利用ＯＩＳ的大开口率ＴＦＴ设计专利，通过提高象素开孔率到大于６５％，以获得高显示亮度与良好的色饱和度     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

系数在复数域C上的Kac—Moody代数的低维上同调

§1引言和记号 李代数的上同调性质与其本身的结构有着密切的联系.本文我们将给出李代数G(A)的系数在C上的低维上同调.无限维李代数的上同调的计算比有限维的复杂得多.而且即使在有限维的情况,这样的上同调也是难计算的.因此与[1]一样,我们采取直接的方法计算.主要结果是定理3.1.最后指出,此结果推广了[1].     

红外小目标与背景辐射对比度的研究

红外目标与背景的对比度特征是红外探测系统检测的重要特征。研究了目标和背景在探测器上的辐射照度,提出了一种红外小目标与背景的辐射对比度,分析了该目标与背景对比度的相关因素。     

宽带低副瓣共形相控阵天线的设计

给出了柱面共形相控阵天线方向图的理论综合方法，相应的数值计算和优化结果，考虑了公差等因素之后研制出共形相控阵天线的馈电系统，实际的共形阵方向图测量结果表明：在１５％以上的带宽内，方向图的最大融瓣电平低于－３０ｄＢ，最后，讨论了共形相控阵的宽角波束扫描特性，并给出了相应的理论和实测结果。     

验电笔的妙用

<正> 验电笔又称试电笔、测电笔、验电器等。它有高压型和低压型之分,外形上有钢笔式、改锥式(螺丝刀式)和组合式等数种。本文介绍低压型验电笔的正确使用方法和特殊运用技巧。 一、验电笔的结构与功能 最常见的验电笔的外形与结构如图1所示。笔头和笔卡均由金属材料制成,因为它们必须直接传导测试回路的工作电流,还要求具有一定的刚性。位于笔头和氖管之间的电阻则用于限制测试回路中的电流,以确保人身(操作者)和氖管的安全。氖管的作用是以发光的形式显现被检验物体的带电程度,氖管内部充有稀薄的氖气,在其轴线上安放着两根分别与氖管两端铜帽相连的电极,两电极相距很近,只要加上60V左右的电压就将形成氖气导电,发出桔红色的辉     

Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。