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中国环流器新一号(HL—1M)装置研制 总被引:3,自引:2,他引:1
邓希文 《核聚变与等离子体物理》1998,18(A07):1-8
HL-1M装置是由HL-1托卡马克改建成的,从1994年10月起,已成功地投入运行。它们是一个中型圆截面托马克装置,但去掉了铜导体壳,以 便以地等 体进行高功率辅助加热,低杂波电流驱动和弹丸注入等研究。 相似文献
32.
三种可在5V低电源电压下工作的,应用于卫星调谐器的集成电路「RFAMPIC(射频放大器集成电路),MIX/AGCIC(混凝器/自动增益控制集成电路),和FDEMODIC(频率调制解调集成电路)」新近已设计成功。 相似文献
33.
文章介绍了高性能的MAX306/MAX307/MAX308/MAX309及低泄漏的MAX338/MAX339的工作原理及性能特点。 相似文献
34.
对HL-1M边缘等离子体静电湍流扰动进行了初步的实验研究。获得了扰动的基本特征量,估计了低杂波引起的径向粒子流的变化。在加低杂波(2.45GHz)前、后,电子密度扰动和极向电场扰动的幅度及其关联性变化不大。虽然低杂波部分抑制了静电湍流,但在数量上不能解释粒子约束改善的实验结果。 相似文献
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36.
37.
在理想化的均匀球面通过进一步地与具有突变边界的均匀各向同性同心球面电离层条件下的LF天波全波解的基础上,考虑由海陆之差引起的地面导电率的变化、大气和低电离层的不均匀性以及由地磁场引起的各向异性特性等因素的影响,推导出了较严格预测实际地与低电离层条件下场强与传播相延精确预测的完善公式。 给出了一些低电离层模式参数的实测结果。这些模式参数为参考高度h0、参考浓度N0与梯度参数α。由罗兰-C天波信号场强与相位的精细测量数据求得的。 相似文献
38.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
39.
通过对托卡马克中模拟积分器积分误差的分析,设计了一种由数字信号处理部件动态抑制这些误差的斩波式积分器,并在实验中获得了长时间、低漂移的积分效果。 相似文献
40.