航空电子设备用低反射高透射宽视角TFT—LCD

在航空电子设备中应用的液晶显示器，要求在宽视角范围内具有高亮度，低反射，高对比度，良好的色饱和度与灰度识别。本文提出了几种独特的解决办法以达到这些严格的要求。为了减少在下显示器的反射利用等离子体增强ＣＶＤ技术，沉积了光学成像设备公司（ＯＩＳ）专用的多层无机黑矩阵，测得最终显示器的镜射率低于０．６％。利用ＯＩＳ的大开口率ＴＦＴ设计专利，通过提高象素开孔率到大于６５％，以获得高显示亮度与良好的色饱和度     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

系数在复数域C上的Kac—Moody代数的低维上同调

§1引言和记号 李代数的上同调性质与其本身的结构有着密切的联系.本文我们将给出李代数G(A)的系数在C上的低维上同调.无限维李代数的上同调的计算比有限维的复杂得多.而且即使在有限维的情况,这样的上同调也是难计算的.因此与[1]一样,我们采取直接的方法计算.主要结果是定理3.1.最后指出,此结果推广了[1].     

宽带低副瓣共形相控阵天线的设计

给出了柱面共形相控阵天线方向图的理论综合方法，相应的数值计算和优化结果，考虑了公差等因素之后研制出共形相控阵天线的馈电系统，实际的共形阵方向图测量结果表明：在１５％以上的带宽内，方向图的最大融瓣电平低于－３０ｄＢ，最后，讨论了共形相控阵的宽角波束扫描特性，并给出了相应的理论和实测结果。     

验电笔的妙用

<正> 验电笔又称试电笔、测电笔、验电器等。它有高压型和低压型之分,外形上有钢笔式、改锥式(螺丝刀式)和组合式等数种。本文介绍低压型验电笔的正确使用方法和特殊运用技巧。 一、验电笔的结构与功能 最常见的验电笔的外形与结构如图1所示。笔头和笔卡均由金属材料制成,因为它们必须直接传导测试回路的工作电流,还要求具有一定的刚性。位于笔头和氖管之间的电阻则用于限制测试回路中的电流,以确保人身(操作者)和氖管的安全。氖管的作用是以发光的形式显现被检验物体的带电程度,氖管内部充有稀薄的氖气,在其轴线上安放着两根分别与氖管两端铜帽相连的电极,两电极相距很近,只要加上60V左右的电压就将形成氖气导电,发出桔红色的辉     

Ce偶-偶同位素低激发态性质的IBM2描述

通过考虑同类核子相干对间的四极相互作用，在IBM2中对Ce偶－偶同位素^128Ce-^138Ce的低激发态能谱和E2跃迁几率及分支比进行了理论分析，计算结果有效地改善了IBM中这些核的γ带能谱的Staggering现象描述，与实验观察到的低激发态结果基本一致。     

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.     

铜互连中SiCOF/a-C∶F双层低介电常数薄膜的制备和表征(英文)

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C∶F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C∶F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C∶F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C∶F之间没有明显的界面层.     

大电流监测信号提取的光收发及信号处理

近年来,大电流的监测成了人们十分关心的问题,这是由于大电流有强磁、高压、电流大等一系列的直接监测所不能克服的问题。这就需要把高压大电流的强电信号,经过提取后变成能在实验室中直接观测的弱电信号。为此,如何从高压大电流的信号中提取出随实时信号变化而实时变化的小信号就变成了一个关键问题。详细介绍了监测信号提取的光收发电路原理和后续信号处理电路,分析了各部分的作用,给出了必要的分析结果。