磁共振法研究(Fe1-xCox)84Zr3.5Nb3.5B8Cu1纳米晶薄带的磁各向异性

铁磁共振(FMR)实验研究(Fe1-xCox)84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1(x=0.0,0.2,0.4,0.6, 0.8)合金薄带的各向异性,易轴在薄带的横向方向,同等宽度样品的各向异性常数K′随Co掺杂量的增加而减小, K′值在4.67×10-5 J/m(x=0.0)到2.54×10-5 J/m4(x=0.8)之间.由于磁化率的虚部χ″(H)随磁场强度H非线性变化,在低场(0-12 mT)有一个与FMR信号强度相当的低场非共振信号.特别是对Fe84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1合金薄带的磁化,在可逆磁化(0-2.0 mT)和趋近饱和磁化(9.0-12 mT)区域, dχ″/dH=0;不可逆畴壁移动过程中,交流磁化率虚部χ″(H)与磁场强度的n次方即Hn(n≥3)有关;在磁畴转动过程中χ″(H)正比于H2(瑞利区),(dχ″)/(dH)为常数;而且发现,有不可逆畴壁移动-磁畴转动三段交替变化的过程,此过程对应三种磁畴的消失过程.     

利用自适应变化电源提高功率放大器效率

功率放大器IC的ACPR和效率指标通常针对最大输出功率进行优化，而蜂窝电话在绝大多数时间工作在中等功率或低功率状态，这期间的功放效率将明显降低。利用DC／DC转换器MAX8506提供变化的电源电压，能够有效改善中等功率或低功率模式下的功放效率，延长手机通话时间。     

可与氟树脂基板相匹敌的热可塑性树脂基板材料

概述了可以与氟树脂基板相匹敌的低介质特性的热可塑性树脂基板材料的开发和应用。     

设计实例designideas级联低压差稳压器、SMPS抑制纹波，保持效率

降压型SMPS（开关电源）能有效地将未稳压的电源转换为稳定的输出电压。但是．输出端会出现由开关而产生的有害纹波和输入瞬变。如将有噪声的电源加在RF功率放大器上．则会在广播频谱中注入寄生信号或调制噪声。模拟系统工程师与RF系统工程师都青睐传统的低噪声电源设计．它包括一个变压器、整流器和滤波器．后面是一个线性稳压器。一只低压差线性稳压器的低输出噪声和高PSRR（电源抑制比）可以确保干净的电源．不会造成对功率放大器输出的干扰。     

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。     

浅述通信电源的发展方向

电源是通信系统的重要组成部分，是通信设备运转的动力。随着现代电子技术的迅速发展．各种通信段和相应的设备在不断地改进和更新，通信设备对电源系统的要求也越来越高。如果电源系统的工作不可靠，就会造成通信中断；如果电源输出电压不稳定或纹渡电压过大，就会降低通信质量，甚至无法正常通信，     

Kondo绝缘体CeNiSn的低温物性研究

对ＣｅＮｉＳｎ的多晶样品进行了磁化率ｘ（１．８－２０Ｋ），电阻率ρ（３－１００Ｋ），Ｈａｌｌ系数Ｒ（４．２－３２Ｋ）和低温比热（１．２－３０Ｋ）的测量，经Ｘ射线衍射分析，该样品为单相结构，磁化率Ｘ在较高温区（３０－２００Ｋ）遵循Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ定律，并可推定出Ｃｅ离子的价态是＋３价的，在３０Ｋ以下磁化率Ｘ明显地偏离该定律并急剧增大，显示出明显的Ｋｏｎｄｏ行为，在１５Ｋ以上，ρ（Ｔ）很好地符合     

带平台多阶振幅量化的低副瓣口径分布

本文提出了一种带平台多阶振幅量化的低副瓣口径设计方法并论述了其分析方法和计算公式，给出了本文算法与作者（１９９３）提出的“多阶振幅量化方法”在峰值副瓣电平、口径效率、归一化输入功率以及具有容差情况下的副瓣亚化等的计算比较结果，结果表明，在相同的条件下，本文提出的方法优于“多阶振幅量化方法”。