微结构显微光学无损检测方法（特邀）

微纳尺度的微结构可调制光场,提高传感器的灵敏度,是新一代功能器件或传感器件中广泛使用的重要结构特征。包含微细加工在内的先进制造技术的快速发展,对多种型式微纳尺度微结构的无损测量技术提出了紧迫的需求。本文从多维视角论述了国内外行业发展中出现的微结构种类、型式,围绕具有高精度无损检测特质的光学显微技术,阐述了国内外仍在继续发展的微结构无损检测四种主流方法,分析了这些方法的技术特点、适用对象,给出了典型样品的检测结果,其中部分结果是首次发表。结果表明,暗场显微机器视觉法,是振幅型颗粒、凹坑、划痕等有害微结构的有效检测方法,可以实现大尺度样品的快速检测;共焦显微成像和低相干显微干涉法是“相位”型微结构的最佳检测方法,可以得到微结构的三维形貌;光谱反演-过焦扫描法与近红外显微干涉法,是应高深宽比微结构无损检测需求而发展起来的新方法,前者可以快速测得线宽和深度,后者可以测得物镜视场范围内高深宽比微结构的三维形貌,二者可以相互验证与补充。     

煅烧温度对Li4Ti5O12的电化学性能的影响

用溶胶-凝胶法制备了尖晶石型锂钛复合氧化物L i4Ti5O12,并研究了煅烧温度对其电化学性能的影响。结果表明,在800℃煅烧12 h得L i4Ti5O12,晶型良好,粒度较均匀。并且表现出良好的电化学性能,循环10次后比容量仍保持在160 mAh.g-1左右。     

金属冲击温度的辐射法测量问题

 金属的冲击温度及熔化温度测量对构建其完全状态方程具有重要意义。简要综述了用于金属冲击温度及熔化温度辐射法测量的一维热传导理想界面模型和非理想界面模型,并着重对模型中明示或隐含的关键假定的合理性、影响金属冲击温度与熔化温度结果的主要因素进行了分析、讨论,以期对实验数据有一个合理的评估。还讨论了求解理想和非理想界面模型一维热传导方程界面温度时所隐含的冲击压缩下热导率不随温度而变、冲击压缩下金属样品/窗口界面辐射的灰体假定,以及窗口材料的透明性、非理想界面模型中表观界面温度的修正、动载条件下金属高压熔化温度的测量、界面的非Flourier热传导等问题。分析结果表明,目前采用辐射法测量大致可以得到冲击温度,在发生熔化的情况下可获得熔化温度,但离精密测量的要求还有较大差距。     

基于DDS的低相噪捷变频频率源的设计与实现

采用直接数字频率合成(DDS)技术结合梳状谱发生器设计了一种低相噪高杂散抑制的捷变频频率源。由DDS产生的基带信号经小型化开关滤波器后与梳状谱发生器产生的多个点频信号混频,然后经过开关滤波器组滤除杂散分量后放大,最终输出所需频率的信号。介绍了DDS的原理,分析了频率源各项指标,最终完成了相噪≤-110 dBc/Hz@1 kHz、杂散抑制≤-68 dBc、频率切换时间≤150 ns的频率源设计与实现。本设计将DDS和上变频相结合,具有输出信号的高杂散抑制、低相噪、频率快速切换等优点,为雷达、电子对抗等系统的频率综合器设计提供了一种低成本、高性能的选择。     

基于无源逆变器的全模拟液晶驱动电路设计

本文提出了一种设计简单、体积小的液晶驱动电路.该电路包含RC施密特振荡电路和反相器,通过特定的连接方式,实现了在一定电压范围内仅用直流信号即可驱动液晶器件的功能.通过理论分析和实验测试,讨论了元件取值对该电路输出频率和波形特性的影响.测试结果表明,该逆变电路响应速度低于0.4μs.当输入电压为3 V以下时,功耗低于1 ...     

荧光光纤光栅传感特性的实验研究

在载氢掺铒光纤上写入Bragg光纤光栅,得到新型光子学器件-荧光光纤光栅.分别对其Bragg波长（λB）及荧光寿命（τ）的温度（T）及应变（ε）响应特性进行了实验研究,并且给出了λB和τ分别关于（T,ε）的拟合方程.实验结果表明：荧光光纤光栅的λB对T和ε的响应具备一般Bragg光纤光栅的优良特性,测得温度灵敏度为11.1pm /℃,应变灵敏度为1.19pm/με;而且τ对T和ε的响应也具有良好的线性关系,温度灵敏度为0.59 μs/℃,应变灵敏度为6.16 ns/με.实验结论为解决温度应力交叉敏感、实现温度应力的同时监测提供一条新颖的途径.     

基于液晶调制器调制的实时测温系统

分析了一种基于基尔霍夫定律的钽酸锂(LiTaO3)热释电探测器作为接收元件的实时测温系统中,机械式调制盘对测量精度影响,提出了改变机械式调制盘对测量精度的影响的方法;介绍了液晶调制器的结构、对辐射调制的原理以及在使用过程中的优点。设计了利用液晶调制器替代机械调制器的钽酸锂热释电实时测温系统。结果表明,利用液晶调制器改进后的测温系统在给定的温度范围中,测量精度均有明显的改善,符合测量要求。     

SSM组播模型的扩展与仿真实现

介绍SSM组播服务模型,通过对NS2中的IP组播路由仿真模块结构的修改,实现对SSM协议的仿真扩展,并对组播行为进行实验分析。     

CH分子束的强度与CH4/He混合配比的关系及CH(A2△)振转温度的计算

为了获得CH分子束及其相关特性,以氦气为载气,利用直流脉冲放电技术产生了CH分子束.实验记录了放电时间相对于脉冲分子束不同延时CH光谱信号强度的变化,放电相对延时为460μs左右获得最大的信号强度.研究了在保持CH4/He总气压3 atm和放电电压-4 kV不变的条件下CH分子束强度与不同配比的关系,建立了理论模型,对实验数据进行了理论拟合,拟合曲线与实验结果符合较好,配比为1%(甲烷与氦的气压比为1:99)左右能够维持较稳定的放电现象和较强的放电强度而获得较强的CH自由基束流.在这一配比下对CH(A2△-X2П)(0,0)带发射光谱进行探测和分析,获得CH(A2△)转动温度和振动温度分别为2455 K和4575 K,并估计此时每个脉冲中大约包含1013～1014个CH自由基.