全息透镜在车辆中的两种应用

通过把全息透镜嵌入挡风玻璃，实现全息透镜在车辆中的两种应用，即将具有颜色选择性的窄带全息透镜用于车辆的平视显示，将具有角度选择性的宽带全息透镜用于车辆的阳光防护。     

添加剂对PMN—PT基低温烧结MLC瓷料性能的影响

探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。     

低温,低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。     

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平，本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器的优化设计，从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。     

低烧高频多层陶瓷电容器工艺改进

以低烧高频多层陶瓷电容器为例,分析比较了原国产线和引进线的工艺和原材料消耗,论证了采用引进线来生产原国产线产品的可能性和必要性。并通过工艺试验进一步证明了转线生产的可行性。由于新线采用了流延浇注成膜工艺,不但可节约原材料60％以上,且产品的容量命中率、工艺一致性及电性能均有提高:绝缘电阻R_i>10~(11)Ω,tgδ<10×10~(-4),>kV,α_c<60×10~(-6)·℃~(-1)。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

光盘用非球面透镜的设计

关于以单透镜的两面为非球面的光盘用物镜已申请了很多专利。之所以其结构非常简单,还能进行多种多样的设计,取决于非球面有大的象差修正能力,也许由于没有确立以决定球面透镜为基础的理论之缘故吧。为了确定所希望的球面系统,本文以偏差和中心厚为变量导出厚透镜的三级象差系数的     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.