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41.
探讨少量添加剂LiF、Bi_2O_3、SiO_2及PbO对Pb(Mg1/3 Nb2/3)O_3(简作PMN)-PbTiO_3(简作PT)基多层瓷介电容器(简为MLC)瓷料某些性能的影响。实验结果表明,适当添加上述化合物将在一定程度上改善瓷料的介电性能。少量LiF的引入可获得烧结温度850℃介电性能良好的MLC瓷料,为采用全银内电极取代Pd-Ag电极创造了条件。 相似文献
44.
建立了低温双极晶体管的低频噪声模型,对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析,并给出噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线,指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。 相似文献
45.
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径,但寄生和二级效应却将器件限在一定的水平,本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上,重点研究了MOS器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响,并根据低温工作的特点,提出了MOS器件一种低温按比例缩小规则,该原则对低温器的优化设计,从而更大程度在提高电路与系统性能具有重要的指导意义。 相似文献
46.
以低烧高频多层陶瓷电容器为例,分析比较了原国产线和引进线的工艺和原材料消耗,论证了采用引进线来生产原国产线产品的可能性和必要性。并通过工艺试验进一步证明了转线生产的可行性。由于新线采用了流延浇注成膜工艺,不但可节约原材料60%以上,且产品的容量命中率、工艺一致性及电性能均有提高:绝缘电阻R_i>10~(11)Ω,tgδ<10×10~(-4),>kV,α_c<60×10~(-6)·℃~(-1)。 相似文献
47.
48.
关于以单透镜的两面为非球面的光盘用物镜已申请了很多专利。之所以其结构非常简单,还能进行多种多样的设计,取决于非球面有大的象差修正能力,也许由于没有确立以决定球面透镜为基础的理论之缘故吧。为了确定所希望的球面系统,本文以偏差和中心厚为变量导出厚透镜的三级象差系数的 相似文献
49.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
50.