77K MOSFET计算机模拟增量限制方法

对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。     

同轴型光电器件的研究开发

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。     

梯度折射率棒中传播的高斯光束轨迹解析解及其存在条件的讨论

本文提出光束轨迹方程的一般解，导出解析解的存在条件，推广了文献［１］的光线传播理论，文中以一特定梯度折射率棒为例，讨论了高斯光束在棒中的传播特性。     

降低焊接缺陷的一种有效方法——使用氮气氛

焊接工艺是SMT组装工艺中的一个步骤，其质量的优劣对其后的工艺步骤有很大的影响，而且也直接影响到产品成本。因此，提高焊接质量、降低产品成本及接缺陷是至关重要的。降低焊接缺陷的方法有很多，本将要介绍的一种方法是使用惰性氮气氛。本通过对产生缺陷的原因进行了分析、对氮气源的选用做了全面的调查及惰性氮气氛成本进行了比较，以便实现在最经济的条件下，达到最佳的质量。     

一类广义非线性混合拟变分包含组

本文引入了一类新的带松弛单调映射和松弛Lipschitz映射的广义非线性混合拟变分包含组 ,构造了求解该类变分包含组的迭代算法 ,证明了该类变分包含组解的存在性以及由本文构造的迭代算法产生的迭代序列的强收敛性 .所得结果推广和改进了大量文献中的最新结果[1 5 ] .     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

信息产业部检查组对我省通信建设工程安全生产工作进行专项检查和调研

6月20日—23日,以信息产业部综合规划司副司长钱庭硕为组长的信息产业部通信建设工程安全生产专项整治工作领导小组一行五人就我省通信建设工程安全生产情况进行了专项检查,并对我省通信建设项目招投标等工作进行了专题调研。在赣期间,检查团成员深入电信运营企业和通信建设工程企业,通过面对面座谈、到建设企业工程现场查看等方式对我省通信建设工程安全生产进行了一次全面、彻底的检查。检查团成员认为,江西省通信建设安全生产工作通过规范建设行为,制定相关规定;严格资质审查,实行清退制度;协调问题,解决建设纠纷;加强监督,查处违规等四…     

非线性锥形梯度折射率透镜的光学特征

本文对非线性锥形梯度折射率透镜进行了分析,根据稳态自聚焦理论以及ABCD定律,导出了高斯光束通过这种透镜光斑尺寸及其位置的公式。讨论了几种特殊的情况,得到了一些重要的结果。