基于C8051F320 USB接口的数据采集存储电路

介绍采用C8051F320 SOC与AM45DB321构成数据采集存储系统的设计方案.     

无铅无铋高性能压电陶瓷

本文分析了铌酸盐作为无铅无铋压电陶瓷的原因,采用适合工业生产的传统电子陶瓷工艺,制备出压电性能和居里温度都高的(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)xNb1-xO3.其中(Na0.5K0.5)1-x(LiSb)0.052Nb0.948O3压电常数d33=286pC/N,平面机电耦合系数kp＞=0.51,损耗tan居里温度c=385℃.这些参数表明,该压电陶瓷具有很好的应用前景.     

为3G网络电路域提供良好基础软交换技术优化GSM核心网

GSM网络覆盖面积非常广泛,并且不同地区网络规模、通信需求和通信消费的差别也存在非常大的区别.本文通过分析现有GSM核心网在网络结构、运维、安全、业务提供能力等方面的现状和劣势,提出了利用软交换来优化现有GSM核心网的方案,通过该优化使得现有GSM核心网在上述各方面的问题都得到解决的同时,为向3G网络电路域的平滑演进提供了良好的网络基础.     

基于COB组装工艺的芯片失效分析

在市场上逐步推广的液晶模块(LCM)生产中,其LCD系列驱动电路的封装工艺主要采用裸芯片的COB(chip on Board)封装方式。文中通过总结自行设计和加工的LCD系列电路在应用厂商批量使用过程中出现的COB封装问题,对COB的工艺流程、COB工艺中的关键工艺——键合以及主要的失效点以及常见的失效原因进行分析,并结合在实际推广过程中问题的解决方法,对LCD系列驱动电路和其他芯片在COB应用中主要出现的键合不良、边缘铝层颜色异常、钝化孔残留、键合参数、COB环境等方面问题加以整理归纳,并提出了可行的解决办法。     

多层陶瓷外壳的失效分析和可靠性设计

文章对多层陶瓷外壳的失效模式,包括陶瓷底座断裂失效、绝缘电阻失效、断路和短路失效、外引线和无引线外壳引出端焊盘与外电路连接失效、电镀层锈蚀失效、密封失效、键合和芯片剪切失效和使用不当造成失效等进行讨论,并对这些失效的失效机理进行了分析,根据以上的失效模式及其失效机理分析,对多层陶瓷外壳的可靠性设计进行了探讨。     

陶瓷滤波器及无铅焊接

国际上三大主要组织制定出自己的无铅标准这一国际背景,陶瓷滤波器作为一种必需的元件必须实现无铅化生产,着重介绍了陶瓷滤波器无铅焊接工艺:原材料(引线,陶瓷基片)的无铅化及焊接辅料(助焊剂,焊锡)无铅化;按工艺顺序详细介绍了浸焊锡、浸助焊剂、基片插入、正面焊接和反面焊接,并针对每一个工序的要求提出了可行的解决方案.最后分析了无铅化生产对国内陶瓷滤波器的影响.     

IC封装基板格局三足鼎立成本趋于下降

传统的IC封装是采用导线框架作为IC导通线路与支撑IC的载具,它连接引脚于导线框架的两旁或四周。随着IC封装技术的发展,引脚数量的增多(超过300以上个引脚)、布线密度的增大、基板层数的增多,使得传统的QFP等封装形式在其发展上有所限制。20世纪90年代中期一种以BGA、CSP为代表的新型IC封装形式问世,随之也产生了一种半导体芯片封装的必要新载体,这就是IC封装基板(IC Package Substrate,又称为IC封装载板)。近年来,BGA、CSP以及Flip Chip(FC)等形式的IC封装基板,在应用领域上得到迅速扩大,广为流行。世界从事封装制造业的主…     

一种BiCMOS过温保护电路

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0．6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。     

二维CMOS风速计集成控制电路研究

一种适用于二维CMOS风速计的集成控制电路,是采用恒温差的控制模式,能同时测量风速和风向。在简单介绍了该风速计的测量原理之后。主要介绍了恒温差控制电路的电路指标。方案选择,并给出了电路结构。通过SPICE模拟并经24所制造和后续的测试,最后给出了流片的静态测试结果。从静态特性看能满足我们的测试要求,并为下一步的动态测试莫定了基础。     

应用于无线通信领域4.1 GHz锁相环的设计

在分析锁相环线性模型的基础上,分析了影响锁相环系统的各种因素,采用相应的优化方法设计了一款4.1GHz LC锁相环。详细介绍了该锁相环中各模块电路（包括Lc型压控振荡器,高速分频器,数字分频器,鉴频／鉴相器,电荷泵以及无源滤波器等）的设计,并且给出了仿真结果。其中高速分频器采用TSPC逻辑电路,速度快功耗低。该锁相环采用SMIC 0.18um CMOS工艺设计,当VCO工作在4．1GHz时,在频偏为600kHz的相位噪声为-110dBc。