跨共振点Duffing方程周期解的多解性

本文研究Ｄｕｆｆｉｎｇ方程¨ｘ＋ｇ（ｘ）＝ｐ（ｔ）周期解的多解性，在一般的条件下证明了此方程存在无限多个次调和解．     

信号处理

ADC增大覆盖面积并降低掉话率；高速16位ADC具有低噪声高性能；固定增益差分放大器；音频放大器抑制射频信号干扰。     

一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构

文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷（Qg）的新结构，通过二维数值模拟：相对于常规VDMOSFET，该结构将栅电荷降低42．93％，器件优值（FOM=Qg＊Ron）降低37．05％。我们分析了新结构的主要特性，并与常规VD-MOSFET进行了比较和参数优化分析。     

射频集成电路测试技术研究

射频集成电路(RFIC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件，由于其高频特点，准确评估RFIC的性能具有相当的难度。文章以射频低噪声放大器(LNA)为例，运用微波理论，分析了RFIC典型参数，如S参数、带宽、PldB、OIP3以及噪声系数等的测试原理和测试方法，并对影响RFIC性能测试的主要因素进行了分析。最后，给出了一种LNA电路的测试结果。     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过对击穿实验结果的分析认为,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因.偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga-As键的断裂程度,Ga-As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型.     

具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析

介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法.在对电场分析的基础上,提出了新的电离率模型,并求出了电离率积分的准确路径,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系.模拟结果表明,解析与模拟结果具有很好的一致性,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点.该解析理论为在薄膜SOI材料上制作性能优良的高压功率器件提供了一个很好的参考