宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

低压中和化CMOS差分低噪声放大器设计

以设计低电压LNA电路为目的,提出了一种采用关态MOSFET中和共源放大器输入级栅漏寄生电容Cgd的CMOS差分低噪声放大器结构.基于该技术,采用0.35μmCMOS工艺设计了一种工作在5.8GHz的低噪声放大器.结果表明,在考虑了各种寄生效应的情况下,该低噪声放大器可以在0.75V的电源电压下工作,其功耗仅为2.45mW.在5.8GHz工作频率下:该放大器的噪声系数为2.9dB,正向增益S21为5.8dB,反向隔离度S12为-30dB,S11为-13.5dB.     

天文观测相机低噪声CCD视频处理电路的分析与设计

在讨论天文观测相机低噪声视频处理电路的基础上,对前置放大、差分放大、可编程增益放大、相关双采样及16bit模数转换等关键组成部分进行了分析,给出各组成部分的设计方法。对所设计的低噪声视频处理电路进行了PSPICE仿真和实验测试,仿真和实验结果表明,该视频处理电路在本身引入噪声较小的同时,有效地抑制了CCD的复位噪声和1/f等低频噪声,使天文观测相机的整机噪声<15e-,达到了指标要求。     

应用于WiFi6的双频段天线-低噪放一体化设计

随着WiFi技术的发展,新一代WiFi6应用日渐广泛。为了提高WiFi6双频段接收机性能并减小尺寸,本文基于ATF-551M4晶体管提出了一种可应用于WiFi6的双频天线与低噪声放大器(Low-noise amplifier, LNA)一体化设计方法。在两个工作频段内同时将天线的输出阻抗调节为LNA电路最小噪声匹配所需的输入阻抗,使得天线可以与电路直接相连,不需要任何的匹配网络,从而消除传统设计中匹配网络带来的损耗并使得电路结构更加紧凑。仿真和实测结果表明一体化设计的尺寸较传统级联设计减少了约13%,并且一体化设计的噪声系数(Noise Figure, NF)在工作频带内明显低于传统级联设计,最大减小了0.44dB(改善了约19%)。     

应用IMS若干问题的探讨

IMS是当今电信界讨论的热点问题,已经在国际标准中被定义为NGN业务层的主要架构之一.未来NGN中如何使用和部署IMS,是电信运营商密切关注的问题.本文对IMS是否支持窄带用户、IMS的语音业务、E.164到SIP-URI的解析等问题进行了分析.     

IMS的发展与展望

本文分析了近期IMS(IP multimedia subsystem,IP多媒体子系统)发展的主要驱动因素,总结了IMS技术标准和网络部署的发展现状,通过综合归纳,指出了IMS近期发展的方向以及运营商部署IMS网络必须考虑的业务和技术问题.     

IMS的应用与发展

IP多媒体子系统(IMS)由于自身的特点,已成为现有网络发展和演进的方向.本文对IMS相关标准的进展情况进行了汇总,结合IMS的特点,分析了IMS在网络融合等方面的应用问题.     

3G底层核心实时状态检测模块的设计

本文首先提出了3G底层技术统一平台的概念,介绍了本平台及系统控制子系统的框架结构;然后给出了实时状态检测模块的功能和结构设计,包括其在整个系统中的位置、和其它功能模块的联系等;进而重点分析了该模块各个进程和任务的处理流程,并对它们是如何分工合作、实现对整个底层工作状态的实时性检测和控制等技术做了详细说明.     

一种高性能二阶荷控忆阻器电路设计与验证

当前忆阻器等效电路中的传统运算放大器存在功耗高、噪声大等问题。针对这些问题,基于简化差分对设计了两种极简化的运算放大器。通过电路仿真对两种简化运算放大器与传统运算放大器进行功耗与噪声仿真分析。结果表明,与三种传统运算放大器相比,该简化运算放大器的功耗最低,抗噪声性能最优。运算放大器的总功耗为15 mW,等效输出噪声电压为11.55 nV·Hz^-1/2,噪声系数为35.873 dB。基于两种简化运算放大器,设计了一种二阶荷控忆阻器等效电路。通过理论分析、电路仿真和硬件电路板基实验,对该等效电路的忆阻特性进行了分析与验证。     

某型雷达低噪声放大器的HPM毁伤效应研究

低噪声放大器(LNA)作为雷达接收系统中最敏感的部件,极易受到高功率微波(HPM)武器的前门耦合攻击,从而影响雷达整体性能。首先分析了HPM对LNA的毁伤机理,然后设计了LNA的HPM注入毁伤实验平台,对某型雷达的LNA的毁伤机理和毁伤阈值进行实验验证。结果表明,该型雷达的LNA不受HPM线性效应影响,当HPM超过其毁伤阈值后,器件内的场效应放大器(FET)栅源之间发生热烧融,造成LNA受到永久性损伤,性能失效。本结论可为该型雷达装备抗HPM毁伤效能评估和HPM防护设计提供数据支撑。