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接口带宽是5G、AI、云计算等信息系统核心芯片的关键属性。简单扩展传输通道数目可成倍增加传输带宽,但封装与连接器引脚增加会导致结构难题,密集的互连线会恶化串扰,高速串行接口技术必不可少。在过去的10多年中,高速串行接口在传输速度和体系架构上有飞跃式的进步,从10G发展至112G/224G,这要求对传输过程中各种非理想因素的建模和分析更加精细,业界为此建立了一套全新的方法学。抖动是高速串行接口设计和应用中最大的挑战之一,本文从全链路视角介绍超高速串行接口的有效抖动模型,并给出测试方法,为高速系统设计提供参考与指导。 相似文献
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针对电源管理类芯片对宽输入范围、高电源抑制比的需求,设计一款新型带隙基准电路。外部电源经两级限压限流得到核心基准模块的电源,该电源相对输入具有很高的电源抑制比,充分保障了内部模块供电的稳定。温度补偿部分通过压控电流反馈和高低温分段补偿技术实现了基准源的高精度输出。基于HHGRACE 180nm BCD工艺设计,输入电源工作范围3-50V、电源抑制比-100dB@1MHZ、输出参考电源1.237V、工作温度在-40~130℃范围内、温度系数9.6 ppm/℃。PVT条件下电压变化小于5mV、波动范围±0.2%,能够满足电源系统对参考电压的要求。 相似文献
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126.
PUE(电源使用效率)是数据中心规划建设的核准指标。分析国内主要城市数据中心PUE政策要求,从场地选址、布局规划、热交换方式和热交换效率4个方面总结降低数据中心PUE的方法维度。探索降低数据中心PUE的前沿趋势,有助于从规划阶段起即为新建或改造数据中心降低PUE创造基础性条件,为提高项目建设可行性提供重要的支撑作用。 相似文献
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128.
介绍了低压VDMOS的结构和各个参数及相互间的关系,并按TSUPREM-4工艺仿真软件的工艺流程顺序给出了各步工艺的设计思路、方法、注意事项。对外延层厚度进行了计算,并用该软件实现了耐压55 V,导通电阻11 MΩ的低压VDMOS器件结构的工艺设计,绘出了仿真结构图。 相似文献
129.
随着微控制器MCU(或单片机)技术的成熟,原来的模拟变送器逐渐被以微控制器为数据处理和控制核心的智能变送器所代替。智能变送器扩展了模拟变送器的功能,不仅提高了测量精度和工作可靠性,还可以很容易地实现线性化处理、温度补偿、自动零点和量程调整及数字通信等功能。 相似文献
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1引言电视发射机(包括电子管发射机和全固态发射机)大致包括电源系统、激励器系统、功率放大系统、主控系统、电控系统及冷却系统等几部分,其中,冷却系统是一个重要的组成部分,良好的冷却系统是发射机正常工作的首要条件。 相似文献