基于最小截面差的相位展开

相位展开 (PhU)问题从理论上讲是一个不适定问题。根据被测物理量的整体连续性 ,提出了一种基于最小截面差的相位展开方法。理论分析和对实验条纹图的处理结果表明 ,该方法特别适合于具有相位间断大于π ,条纹欠采样及随机噪声等条纹图的相位展开。同支切 (Branchcuts)法相比 ,该方法具有算法简单、计算量小且可靠度高的特点 ,具有一定的实用性。     

非线性Klein—Gordon方程“蛙跳”格式差分解的收敛性

利用有界延拓法，研究了非线性Ｋｌｅｉｎ－Ｇｏｒｄｏｎ方程初边值问题的“蛙跳”差分解的收敛性与稳定性。避免了校难的先验估计，并放宽了非线 性项的条件。     

群时延精确设计的全差分四阶Bessel滤波器

采用MOS管有源电阻,提出了一种全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,.通过调节工作于亚阈值区的CMOS管的沟道导纳补偿电阻值的大小,能抵消集成电路制造工艺中电阻值的一致偏差,实现Bessel有源滤波器群时延的精确设计.根据无源滤波器的状态方程完成有源滤波器的综合,应用3.3V,0.5μm CMOS工艺完成了群时延大小为0.75μs的四阶Bessel低通滤波器的管极计算机仿真,仿真结果表明所提电路正确有效,适于全集成.     

新型可调剪切差平行分束偏光器设计

本文给出了一种新型可调的切差平行分束偏光器设计。它调节方便,可获得较大平行分束剪切差,并可一镜多用     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

NS推出高电流CMOS低压降芯片

美国国家半导体(National Semiconductor Corporation，NS)宣布推出一系列专为低电压、高电流应用方案而设计的全新低噪音CMOS低压降(LDO)开关稳压器。     

基于神经网络控制的潜用磁罗经自差水下自动校正

为了解决潜用磁罗经不能自动校正自差，且水面校正完全依赖人工操作、校正时间长、校正精度低和易暴露的问题，研制了一种利用神经网络控制技术可实现磁罗经自差自动校正的系统，并提出一种新的剩余自差的测定方法．仿真分析表明该系统降低了校正所需时间，提高了校正精度，避免了潜艇自差校正时的暴露问题。     

波长为515nm的氩离子激光器的频率稳定

用声光晶体对氩离子激光作频率调制,获得了碘分子的差拍饱和吸收信号。将得到的斜率极陡的—阶微商形式的饱和吸收信号作为鉴频曲线把氩离子频率激光稳定到~(127)I_2分子的p(13)43—0的a_3超精细分量上。通过与一稳定到相同精细分量的稳频氩离子激光拍频,给出激光频率稳定性优于±6.5×10~(-12),重复性优于±3.4×10~(-11)。     

示差半微分循环伏安法研究琥珀酰胆碱在水/硝基苯界面的传递行为

研究了油/水界面电解的示差半微分循环伏安行为。在0.01mol/L LiCl(w)-0.01mol/L TBATCIPB(nb)体系“电位窗”比TBATPB(nb)向正方向扩展约50mV,残余电流基本消除,使“电位窗”内的平台向左右拓宽约50mV。算得界面电容约为16μF/cm~2。考察了琥珀酰胆碱离子在w/nb界面的传递伏安特性,结果与一般半微分循环伏安法相似。但峰形改善,检测限降低一个数量级(1×10~(-6)mol/L),相对标准偏差在5％以内,可用于定量测定琥珀酰胆碱。